Samsung devance Intel dans la production de puces gravées en 10 nm

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Le 10 nm FinFET est entré en production chez Samsung Electronics. Premiers SoC, les Exynos 8895 et Snapdragon 830. L’arrivée des premiers terminaux équipés de ces composants est attendue début 2017.

Samsung vient de lancer la production en masse de ses premiers composants gravés en 10 nm FinFET. Des puces qui animeront les futurs smartphones et tablettes du constructeur coréen.

« En étant les premiers à produire en masse la technologie 10 nm FinFET, nous démontrons notre leadership dans les processus de gravure avancés », explique Jong Shik Yoon, vice-président exécutif Foundry Business chez Samsung Electronics.

Et la société peut être fière de cette avancée, qui lui permet de doubler les géants du secteur dans la course au 10 nm. TSMC, mais aussi Intel.

Démarrage en deux temps

La firme va tout d’abord commencer avec le processus 10LPE (Low Power Early), visant une efficacité énergétique maximale. Au menu, des besoins en énergie abaissés de 40 %. Mais aussi des performances en hausse de 27 %, par rapport aux composants 14 nm proposés précédemment par Samsung Electronics.

Il faudra attendre début 2017 pour que de premiers terminaux adoptent ces puces. Il est probable que le futur Galaxy S8 de la firme sera le premier à disposer d’un SoC Exynos gravé en 10 nm LPE, le 8895. Le Snapdragon 830 de Qualcomm sera lui aussi gravé en 10 nm FinFET par Samsung.

Dans la seconde partie de l’année 2017, la firme lancera des composants 10LPP (Low Power Plus). Ils proposeront des performances encore plus élevées.

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