La plateforme FD-SOI 28 nm de STMicroelectronics est prête pour la préproduction

Suite à la présentation de sa nouvelle stratégie, STMicroelectronics annonce la disponibilité de sa technologie silicium sur isolant dite totalement déplétée (FD-SOI) de 28 nm pour des opérations de préproduction à Crolles, en Isère.

Réponse du fabricant franco-italien de semiconducteurs au Tri-Gate du fondeur américain Intel, cette plateforme FD-SOI (Fully Depleted-Silicon on Insulator) inclut des fonctionnalités de conception et une bibliothèque de composants : circuits précaractérisés, générateurs mémoire, blocs de propriété intellectuelle AMS, interfaces haut débit, etc.

Les atouts du FD-SOI

Alternative à la technologie planaire sur silicium massif et au FinFET (Fin-Shaped Field Effect Transistor), la technologie FD-SOI permet de diminuer les courants de fuite et la variabilité de la tension de seuil.

Adaptée à l’industrie mobile et électronique, la technologie FD-SOI permet aussi de fabriquer des processeurs économes (jusqu’à 40 % de réduction de la consommation d’énergie par rapport à la technologie CMOS traditionnelle, à performances équivalentes) et d’atteindre des « performances améliorées » (vitesse en hausse de 30 % environ).

« Les tests de tranches post-traitement nous ont permis de démontrer les avantages significatifs sur le plan des performances et de la consommation que présente la technologie FD-SOI par rapport aux filières classiques pour créer une solution industrielle au coût optimisé disponible dans le nœud de 28 nm », a déclaré mardi par voix de communiqué Jean-Marc Chery, vice-président, directeur du secteur numérique et directeur technique de ST.

ST-Ericsson adopte la technologie

Sans surprise, la technologie FD-SOI du fabricant européen de puces a déjà été choisie par ST-Ericsson… Bien que STMicroelectronics veuille se désengager de cette coentreprise détenue avec l’équipementier télécoms suédois Ericsson, le fondeur entend rester l’un de ses partenaires industriels de référence.

D’après Jean-Marc Chery, « les mesures réalisées sur des sous-systèmes multicœurs dans une plateforme ModAp de ST-Ericsson, avec une fréquence maximum dépassant 2,5 GHz et fournissant 800 MHz à 0,6 V, confirment les prévisions ».

Ces mesures, a-t-il conclu, démontrent la grande flexibilité de la technologie ainsi que « la plage de tension étendue exploitable grâce à la technique de mise à l’échelle dynamique de la tension et/ou de la fréquence de type DVFS (Dynamic Voltage & Frequency Scaling) ».

Crédit photo © STMicroelectronics

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