30 milliards de transistors pour le premier test à grande échelle d’IBM dans le monde de la gravure en 5 nm. Arrivée prévue en 2020.
Actualités FinFET
Samsung présente le processeur des Galaxy S8 et S8 Plus
L’Exynos 8895 de Samsung équipera les Galaxy S8 et S8 Plus de la firme. Il consommera 40 % d’énergie en moins et proposera des performances en hausse de 27 %.
10 nm et charge rapide : Qualcomm renouvelle ses gammes
La prochaine puce mobile de Qualcomm, le Snapdragon 835, sera gravée en 10 nm FinFET et proposera une technologie de charge rapide 20 % plus véloce que précédemment. Arrivée prévue au premier semestre 2017.
Processeurs : TSMC démarre ses tests sur le 10 nm
Le 10 nm débarquera cet été chez TSMC. Il faudra toutefois attendre mi-2016 pour que la production de masse démarre.
Les transistors « 2D », la future voie du wearable computing et du mobile
Des scientifiques viennent de créer un transistor en deux dimensions qui pourrait notamment trouver des applications dans le domaine des écrans flexibles ultra-fins ainsi que l’électronique à porter (« wearable devices »).
UMC a pied d’œuvre sur le FinFET 14 nm
UMC annonce avoir réalisé le premier "tape out" d'une puce de qualification de son procédé de fabrication FinFET 14 nm.
UMC rejoint l’alliance d’IBM pour le 10 nm FinFET
Le fondeur taïwanais UMC vient d'annoncer une collaboration avec IBM portant sur le développement de la technologie CMOS avancée 10 nm à transistors FinFET.
