Des chercheurs de l'université de Rice ont développé une puce embarquant de la mémoire à oxyde de silicium, un procédé actuellement testé à bord de l'ISS.
Actualités Oxyde de silicium
Les écrans UHD IGZO de Sharp bientôt sur des laptops
Sharp va commencer la production d'écrans LCD IGZO de 11,6, 14 et 15,6 pouces en juin 2013 avec la promesse de résolutions encore jamais atteintes et d'une efficacité énergétique record.
Avancée majeure dans l’intégration de dispositifs optoélectroniques sur du silicium
Des scientifiques de l'Université de Pennsylvanie ont réussi à faire émettre de la lumière dans un large spectre par du silicium. Cela pourrait aboutir à l'intégration d'éléments optoélectroniques sur des puces électroniques.
IBM réinvente le transistor grâce à une goutte de liquide
IBM a élaboré un nouveau type de transistor pour lequel un liquide ionique remplace le flux d'électrons. Le nouveau dispositif pourrait permettre à la loi de Moore de perdurer.
Pour l’écran de ses iPhone 5 et iPad 3, Apple passerait de la technologie IPS à l’IGZO
Le futur iPad devrait afficher de la haute définition sur son écran. Et c'est la technologie InGaZnO (ou IGZO pour Indium-Gallium-oxyde de zinc) développée par Sharp qui en serait la clef de voute.
L’avenir des processeurs passera-t-il par le MoS2 ?
L'EPFL annonce avoir réalisé une puce basée sur des transistors en molybdénite (MoS2) en lieu et place du silicium habituel. Un minéral qui permettrait de réduire drastiquement la taille des transistors. L'avenir du processeur ?
Révolution des ‘chips’? Intel insère la 3D dans les transistors
Un nouveau transistor MOS, le 3D Tri-Gate, marque un tournant : plus rapide, plus efficace, moins consommateur d'énergie. Idéal pour intégrer les smartphones et tablettes ?
Penryn : Intel révolutionne l’isolant des puces
Le fondeur a remplacé le dioxyde de silicium par l'hafnium pour ses nouvelles puces gravés en 45 nm
Penryn : Intel révolutionne l’isolant des puces
Le fondeur a remplacé le dioxyde de silicium par l'hafnium pour ses nouvelles puces gravés en 45 nm
R&D: le premier circuit ‘laser silicium’ hybride est signé Intel
Des chercheurs d'Intel et de l'Université de Californie à Santa Barbara ont mis au point le premier circuit silicium hybride: avec connexion laser
Freescale crée du MOSFET en AsGa
Traduction : Freescale Semiconductor a développé le premier circuit au monde associant les hautes performances de l'arséniure de gallium (AsGa) aux avantages offerts par les transistors MOSFET traditionnels
Processeurs Opteron d’AMD; la température baisse!
Principale avancée du challenger d'Intel: il adopte la technologie des 90 nanomètres pour l'Opteron et l'Athlon 64. Il réduit ainsi de 25% la consommation d'énergie de ses processeurs
Puces: !e strontium vient conforter la loi de Moore
L'approche du niveau atomique impose les limites du silicium. Des chercheurs autrichiens relancent la course au doublement en ajoutant, au silicium, du titanate de strontium!