Toshiba booste la vitesse et réduit la consommation des puces flash Nand

ComposantsData & StockagePoste de travailStockage
Toshiba TSV
5 7 Donnez votre avis

Consommation en baisse de 50 % et débits en hausse : Toshiba promet ces avancées avec la mémoire flash à connexion TSV.

Début août, SanDisk et Toshiba annonçaient la mise au point de composants flash TLC intégrant 48 couches, pour une densité exceptionnelle. Voir à ce propos notre article « SanDisk et Toshiba lancent des composants flash 3D de haute densité ».

C’est sur le front des performances que Toshiba fait aujourd’hui une nouvelle annonce, avec le développement d’une puce flash Nand composée de 16 couches, reliées entre elles via la technologie TSV (Through Silicon Via). Auparavant, des fils classiques connectaient les différents circuits d’un composant flash. Avec le TSV, ce sont des couches de silicium qui assument ce rôle.

50 % d’énergie consommée en moins

La consommation électrique de l’ensemble s’en trouve réduite d’environ 50 % lors des opérations de lecture, écriture et transfert de données. Les débits sont quant à eux boostés largement au-delà de qui est réalisé habituellement, avec plus de 1 Gb/s.

« Cette nouvelle mémoire flash Nand combine faible latence, bande passante importante et rapport IOPS/Watt élevé, elle constitue une solution idéale pour les applications de stockage flash, notamment les disques SSD haut de gamme d’entreprise », estime Toshiba.

Deux prototypes de puces ont été présentés. Le premier propose une capacité de 128 Go, avec 8 couches et une taille de 1,4 x 1,8 x 0,135 cm. Le second est plus épais (0,19 cm), mais intègre 16 couches et propose ainsi une capacité de 256 Go.

À lire aussi :

Avec 3D XPoint, Intel et Micron révolutionnent le monde du stockage flash
SanDisk et Toshiba lancent des composants flash 3D de haute densité
Stockage flash : Micron se lance dans le 16 nm


Lire la biographie de l´auteur  Masquer la biographie de l´auteur