Samsung entamera le passage à l’architecture Cortex-A15 avec l’Exynos 5250. Si cette évolution paraît logique, la société coréenne se démarque en proposant un SoC (System on chip ou processeur tout-en-un) double cœur là où d’autres constructeurs ont opté pour un quadricœur avec l’architecture Cortex A9 (Tegra 3 de Nividia par exemple).
Basé sur le jeu d’instructions ARMv7, l’architecture Cortex-A15 peut être cadencée jusqu’à 2,5 GHz en déclinaison quad cœur et jusqu’à 2 GHz en déclinaison double cœur. Samsung précise que les deux cœurs de l’Exynos 5250 seront cadencés à 2 GHz.
Le futur fer de lance des Exynos sera gravé dans la technologie 32 nanomètres (nm) HKMG (High-K Metal Gate low power). La grille plus conductrice des semiconducteurs (produit selon la méthode CMOS) permet de réduire les courants de fuite (par effet tunnel lors de la charge de la capacité de grille) qui entrent en ligne de compte dans la consommation électrique totale. La réduction drastique de l’épaisseur de la couche d’oxyde a tendance à augmenter ces fuites à tel point que le courant tunnel de grille des transistors MOS est devenu un enjeu majeur pour l’évolution de la microélectronique.
L’Exynos 5250 se rapproche des OMAP 5 annoncés par Texas Instruments. Ainsi, les OAMP5430 et OMAP5432 se basent également sur deux cœurs Cortex-A15 cadencés jusqu’à 2 GHz. Ils seront toutefois gravés dans la technologie 28 nm (contre 32nm HKMG pour l’Exynos). Le futur Exynos devra aussi compter sur la concurrence du Nova A9600 de ST-Ericsson intégrant lui aussi deux cœurs Cortex-A15. Ajoutons Qualcomm et Nvidia (avec le Wayne) qui devraient suivre dans cette voie.
Comme points de comparaison, Samsung précise qu’il sera deux fois plus puissant qu’un processeur ARM Cortex A9 double cœur cadencé à 1,5 GHz. Et son GPU sera, lui, quatre fois plus puissant que celui des générations précédentes d’Exynos.
Les autres spécifications indiquent les supports de la résolution d’affichage WQXGA (2560 x 1600 pixels) et de la 3D stéréoscopique. Quant à la mémoire vive, sa bande passante est spécifiée à 12,8 Go/s. L’Exynos 5250 servira également de supports de l’interface Embedded Displayport (EDP) et de la technologie Panel Self-Refresh (PSR). Avec cette dernière, les images statiques sont rafraîchies depuis une mémoire tampon plutôt que de solliciter le CPU. L’autonomie de la batterie de l’appareil est ainsi améliorée.
Il sera intéressant de comparer l’Exynos 5250 au Nvidia Tegra 3 (quatre cœurs Cortex-A9 cadencés à 1,3 GHz gravés en 40 nm) et surtout à l’Exynos 4412 (également quatre cœurs Cortex-A9 cadencés à 1,5 GHz avec gravure en 32 nm) lorsque l’Exynos 5250 sortira mi 2012.
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