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Flash MLC 128 Gb : Samsung veut accélérer l’adoption des SSD

Les puces de mémoire NAND MLC (Multi Level Cell) 3 bits de 128 Gb, soit 16 Go, commencent à être gravées dans les fab de Samsung. C’est en substance ce qu’a indiqué le géant sud-coréen en fin de semaine dernière. La puce fait suite au module de 64 Gb MLC gravé en classe 10 nm dont la production avait débuté en novembre 2012.

La plus grande densité du marché

La technologie CMOS avancée dans laquelle les modules 16 Go sont gravés est aussi de classe 10 nm, ce qui signifie pour Samsung que la finesse de gravure se situe quelque part entre 10 nm et 20 nm.

Le conglomérat suit ainsi Intel et Micron qui, via leur coentreprise IM Flash Technologies (IMFT), avaient mis au point dès la fin 2011 une puce de mémoire flash NAND de 128 Gb gravée en 20 nanomètres.

Une telle finesse de gravure associée à la forte densité inhérente au MLC porte en germe une densité d’intégration substantielle et des gains de productivité tout aussi conséquents.

Concrètement, le module 128 Gb de Samsung se caractérise par la plus forte densité et le plus haut niveau de performance du marché avec un taux de transfert des données de 400 Mb/s via l’interface DDR 2.0.

Accélérer le passage du disque dur au SSD

Et Samsung d’expliquer qu’il adoptera ce module pour des cartes mémoires de 128 Go et des SSD dépassant les 500 Go de capacité.

De surcroît, si les SSD « professionnels » étaient jusqu’à récemment encore principalement basés sur de la flash NAND SLC (Single Level Cell), les progrès réalisés dans le domaine de la flash NAND MLC assurent une excellente endurance aux dispositifs de stockage qui les intègrent. Le nouveau module MLC de Samsung devrait donc investir des SSD destinés à des serveurs.

Tout ceci est de nature à accélérer la transition des disques durs aux SSD. On devrait également voir arriver avant la fin de l’année des terminaux mobiles avec plus de mémoire flash et des SSD plus « gros » à des tarifs plus abordables.

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