Global Foundries et Western Digital investissent dans la MRAM

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Successeur désigné de la DRAM, la technologie MRAM séduit les investisseurs. Plusieurs d’entre eux ont investi 29 millions de dollars dans Everspin Technologies en pointe sur ce secteur.

Dans la course au remplacement de la DRAM (Dynamic Random Access Memory), Everspin Technologies, une spin-off de Freescale Semiconductors, veut pousser la technologie MRAM (Magnetic Random Access Memory). Cette dernière combine la DRAM et de la mémoire flash sur une seule puce. L’objectif est d’obtenir les mêmes fonctionnalités de mémoire non volatile de la flash avec la performance de la DRAM.

Pour mener à bien son projet, Everspin a annoncé avoir réalisé un tour de table de 29 millions de dollars avec un couple d’investisseurs, Global Foundries et Western Digital Capital. Ils rejoignent ainsi les investisseurs existants qui sont New Venture Partners, Lux Capital, Sigma Partners, Epic Ventures et Draper Fiher Jurverston.

Plusieurs champs des possibles

En octobre dernier, Everspin avait travaillé avec Global Foundries pour développer des wafers CMOS en 300 millimètres pour la MRAM. Global Foundries va en profiter pour investir dans la R&D sur la technologie « Spin Torque » MRAM (ST-MRAM), utilisant le phasage directionnel d’un aimant pour accélérer le stockage des données.

Les MRAM peuvent être utilisées dans plusieurs terminaux allant des ordinateurs, des équipements industriels et des composants NFC (Near Field Communication). Au sein des datacenters, la MRAM peut réduire la durée d’interruption de services et simplifier la conception des systèmes en réduisant ainsi les coûts globaux. Elle élimine le besoin en éléments externes, comme des résistances, des condensateurs, des batteries, etc.

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