Hynix promet de la flash NAND en 15 nm dès 2012
« Middle-1Xnm » pour une finesse de gravure qui passe sous les 20 manomètres (nm), c’est ce que vient d’annoncer la société Hynix Semiconductor pour ses futures mémoires flash NAND.
La société Hynix Semiconductor a présenté sa technologie « Middle-1Xnm » qui lui permettra de graver des mémoires flash NAND avec une compacité encore jamais atteinte.
Une course à la finesse de gravure
Intel et Micron ont débuté la production de mémoires flash NAND en 20 manomètres (nm) en avril 2011. Et la Joint Venture IM Flash formée par les deux groupes a également commencé la production de flash NAND de 64 Gbits (8 Go). Elle enchaînera avec des 128 Gbits (16 Go) dès 2012. Toshiba est aussi en pointe avec sa technologie 19 manomètres (nm). Et Samsung ne s’en laisse pas compter non plus. Le constructeur coréen détient 40% du marché des mémoires flash et entend affirmer sa position. Il a ainsi fait l’annonce d’une nouvelle unité de production en Chine dédiée à la production de mémoires flash
Mais la société Hynix compte bien prendre les devants. Et lors de l’IEDM (IEEE International Electron Devices Meeting), elle a dévoilé sa technologie nommée « Middle-1Xnm ». Un « X » qui laisse encore planer une incertitude sur la finesse de gravure mais il s’agirait d’une longueur de grille de 15 nanomètres (nm), soit une gravure 25 % plus fine que celle d’Intel et de Micron.
Une telle finesse de gravure se traduit par une puissance électrique réduite et un accès aux données plus rapides, soit une bande passante plus grande pour les SSD et autres puces qui l’embarqueront.
Des challenges technologiques
Mais cela se traduit aussi par des problèmes très complexes à résoudre. Parmi lesquels, Hynix en dénombre deux principaux : des fuites de courant des charges de la grille flottante du point mémoire. Des trous sont également créés dans la grille de silicium polycristallin.
Pour les résoudre, Hynix met en oeuvre plusieurs techniques. Ainsi, la largeur des grilles flottantes est réduite, ce qui augmente l’espacement et réduit les interférences entre les lignes de bit. Celles-ci baissent alors de 20 %.
Le constructeur coréen a également amélioré la technologie pour qu’il y ait une meilleure isolation grâce à l’air entre la grille flottante et la grille de contrôle afin de limiter les fuites de courant.
Des techniques qui nécessiteront une mise au point de l’appareil de production. Le constructeur coréen précise toutefois qu’il commencera la fabrication des flash NAND dans la technologie « middle-1Xnm » dans la seconde moitié de 2012.
