IBM annonce une nouvelle génération de puce… Révolution ?

Avec sa technologie ‘high-k gate‘, qui serait le fruit de 10 années de développement, IBM propose un nouveau matériau qui se substitue à certaines parties critiques des transistors actuels pour contrôler la fonction primaire de passage on/off.

Le Dr T.C. Chen, vice-président de la division Science et Technologie d’IBM Research explique: « Jusqu’à présent, l’industrie des composants faisait face à un blocage majeur en terme de jusqu’où nous pourrions pousser notre technologie courante. Après plus de dix années d’efforts, nous avons désormais un moyen d’aller plus loin. »

Le nouveau matériau développé par IBM, avec ses partenaires dans la recherche sur les semi-conducteurs AMD, Sony et Toshiba, permet d’établir un chemin entre les circuits plus petit, plus rapide, et plus efficace en termes de puissance électrique.

Au moment où les grands fondeurs passent aux 65 nm (nanomètres) – Intel, AMD et IBM y sont -, et se préparent à faire entrer leurs ‘fabs‘ (unités de fabrication des semi-conducteurs) dans l’ère du 45 nm, la problématique des échanges de données, même binaires (0/1 ou on/off) se pose avec acuité car nous arrivons à la limite des matériaux silicium qui ont fait leur richesse.

Très concrètement, en approchant de l’infiniment petit, les matériaux utilisés jusqu’à présent sont trop riches en molécules, ce qui ne permet plus soit d’assurer les connections, soit qu’ils enregistrent trop de pertes dans les échanges électriques.

L’intégration de nouveaux matériaux est donc une étape indispensable pour faire évoluer la technologie, et accessoirement pour maintenir vivante la loi de Moore.

Mais la problématique touche l’ensemble de l’industrie, et l’annonce d’IBM fait suite à celle très récente d’Intel, qui a introduit sa propre technologie pour industrialiser le 45 nm dès 2008, ainsi qu’à d’autres annonces, en particulier au Japon où la recherche pousse vers les 32 nm.

Une évolution nécessaire et une contrainte imposée, l’arrivée de la technologie ‘high-k gate‘ d’IBM s’inscrit donc dans une logique industrielle, et il est donc quelque présomptueux d’affirmer qu’il s’agit de la plus grande évolution du monde des transistors depuis 40 ans !

En revanche, la révolution pourrait venir moins des matériaux que des procédés et méthodes de fabrication des composants, qui s’accompagne du passage des ‘wafers‘ – les galettes sur lesquelles sont sérigraphiés les composants et processeurs – aux 300 mm, ce qui va presque doubler le nombre de composants fabriqués dans une même phase de production, ou encore permettre avec la réduction des tailles (65, 45 nm) de multiplier le nombre de transistors entrant dans un composant.

Avec l’arrivée de ces nouvelles technologies et procédures, les fondeurs s’apprêtent à faire leur révolution… économique !