IBM triple les performances des transistors avec le germanium

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Meilleur conducteur pour canaliser les flux d’électron, le germanium permet de multiplier par trois les performances des transistors. IBM en apporte la preuve, exploitation vers 2013 !

Connu pour être un meilleur conducteur électrique que le silicium, le germanium présente un défaut majeur : la difficulté à l’exploiter dans des composants à l’aide de technologies traditionnelles de fabrication des semiconducteurs. Ce qui n’a pas empêché son utilisation en faibles doses dans la technologie de ‘silicium tendu’ ou ‘

strained silicon‘. Le germanium est une étape intermédiaire dans le processus d’extraction du minerai de zinc. C’est un élément semiconducteur dur aux propriétés électriques entre le métal et l’isolant, dont la structure cristalline est proche de celle du diamant. La nouvelle technique démontrée par IBM porte sur la technologie de fabrication des transistors avec du ‘germanium tendu’ ou ‘strained germanium‘. Une couche de germanium tendu est appliquée directement sur le canal du transistor ou sur la zone où le courant électrique passe, ce qui permet d’ouvrir un espace additionnel sur le canal afin d’augmenter le flux d’électrons. Les transistors fabriqués avec une couche de ‘germanium tendu’ enregistrent des performances trois fois supérieures à celles des transistors fabriqués de manière traditionnelle en silicium. Et l’état des recherches permet à IBM d’envisager une production en 32 nanomètres, qui pourrait être introduite vers 2013.


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