Intel et Micron promettent des modules flash M.2 de 3,5 To

Intel et Micron ont annoncé la mise au point de composants flash d’une capacité de 256 et 384 gigabits. Une densité exceptionnelle, rendue possible par l’adoption d’une gravure en 3D, permettant d’empiler les cellules mémoire.

Les deux firmes emboîtent ainsi le pas à Samsung, qui livre d’ores et déjà des composants flash de haute densité. Le Coréen propose des puces de 86 gigabits à deux bits par cellule (MLC), intégrées dans les SSD 850 Pro, et des composants de 128 gigabits à trois bits par cellule (TLC), utilisés au sein des SSD 850 Evo.

Intel et Micron comptent adopter la même approche. Le module de 256 gigabits sera à deux bits par cellule, alors que celui de 384 gigabits en proposera trois. Il permettra de créer des produits de meilleures capacités, à moindre coût, mais moins bien adaptés aux écritures massives de données.

Des prix en baisse

Une telle densité permettra de concevoir des modules M.2, le nouveau standard pour les disques flash, d’une capacité pouvant atteindre les 3,5 To… avec des prix en forte baisse. Il faudra toutefois attendre 2016 pour que des SSD équipés de ces composants voient le jour.

Notez que Toshiba, qui collabore étroitement dans le secteur de la mémoire flash avec SanDisk, vient lui aussi de présenter son offre de nouvelle génération. La firme propose un module à gravure 3D d’une capacité de 128 gigabits, avec deux bits par cellule.

De quoi se maintenir relativement confortablement au niveau de la concurrence, même s’il faudra là aussi attendre 2016 pour que ces composants équipent de premiers SSD.