Intel et Micron proposent de la mémoire flash gravée en 25 nm

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Chez IMFT les composants flash 25 nm vont prochainement succéder aux modèles gravés en 34 nm. À la clé, une densité doublée, pour un prix de production – globalement – inchangé.

IM Flash Technologies (IMFT), une entreprise fondée par Intel et Micron, vient de lancer sa première puce flash NAND MLC gravée en 25 nm. Cette technologie permettra de proposer des composants plus denses, moins gourmands en énergie et moins coûteux à produire.

« Prendre une longueur d’avance sur tout le secteur des semi-conducteurs avec le procédé de gravure le plus évolué qui soit représente un exploit pour Intel et Micron et nous comptons repousser encore les limites de la miniaturisation. Cette technique de gravure aura des avantages importants pour nos clients, grâce à une densification des solutions médias », explique Brian Shirley, vice-président memory group chez Micron.

Bon point, un unique composant pourra proposer une capacité de 8 Go. C’est deux fois plus que précédemment. Une bonne nouvelle pour les clés USB et les baladeurs multimédias. Nous pouvons également présumer que les prochains SSD (Solid State Drive) d’Intel utiliseront de telles puces en lieu et place des composants 34 nm utilisés aujourd’hui. La compagnie pourra ainsi proposer des produits disposant d’une meilleure capacité, ou d’un prix plus faible à capacité identique.

Ces puces ne sont pas encore disponibles. Leur mise en production est toutefois programmée pour le second trimestre 2010.


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