Intel : la lithographie EUV 32 nm pour 2009
Intel veut pousser la technologie de lithographie ‘extreme ultraviolet’ EUV afin d’entrer en phase de production de masse en 32 nanomètres en 2009
Après avoir durant plusieurs années affirmé son ambition de déployer la production de composants en 32 nm sous technologie de lithographie EUV ‘
extreme ultraviolet‘, Intel vient d’annoncer qu’il va intégrer EUV dans une ‘ligne pilote’ pour produire en masse des n?uds en 32 nanomètres. Pour aboutir à une production de masse en 32 nm, Intel explore actuellement des méthodologies de lithographie en longueur d’onde 193 nm, avec des techniques sèches, en immersion, ou en double exposition. Une étape avant de passer aux 22 nm? dès 2011. Le fondeur va déployer des scanners ‘secs’ en longueur d’onde 193 nm dès 2007, pour produite des composants en 45 nm. L’étape suivante, la prochaine génération des composants en 32 nm, s’appuiera donc sur des options technologiques de lithographie, soit EUV par une illumination en longueur d’onde 13 nm, soit en longueur d’onde 193 nm. Quelle sera la technologie retenue par Intel à partir de 2007 ? Le fondeur assure depuis toujours la promotion de l’EUV, et espère disposer d’outils à cette date. Mais la route sera probablement plus longue, et pavée de milliards de dollars de R&D. Car cette technologie résiste encore à de nombreuses difficultés, comme de disposer de sources d’énergie adéquates, de photosensibilité des vernis ou de rugosité des lignes de bord. Et Intel ne sera pas seul. Le néerlandais ASML a annoncé une ‘démonstration alpha’ d’outils EUV pour la fin 2006, les japonais Canon et Nikon pour 2007?
