Intel livre les premiers échantillons de mémoire Flash à 3 bits par cellule

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La technologie Triple-Level Cells augmente la densité de stockage des modules de mémoire Flash et la rentabilité de production.

IM Flash Technologies (IMFT) vient d’annoncer avoir livré les premiers échantillons de mémoire Flash de 64 gigabits (8 Go) gravée en 25 nanomètres dotée de 3 bits par cellule. IMFT est une joint venture entre Intel et Micron Technology dédiée au développement des technologies Flash NAND. La mise en production des nouveaux composant est programmée pour la fin de l’année.

La capacité à gérer 3 bits par cellule (3bpc) a essentiellement pour effet d’augmenter la densité de stockage des modules mémoire. Selon le fabricant, les nouveaux modules seraient ainsi, à capacité égale, 20% plus petits en volume que les modules actuels de 8 Go en 25 nm de Micron, pourtant considérées comme les plus petits du marché. Avec le 3bpc, IMFT parle désormais de cellules TLC (Triple-Level Cells) par opposition aux SLC (Single-Level Cell) et MLC (Multi-Level Cell).

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La nouvelle densité permet donc d’augmenter les espaces de stockage à surface égale en direction des cartes mémoires, des clé USB, SSD et autres composants de mémoire Flash embarquées dans les périphériques d’enregistrement (téléphones mobiles, appareils photo, baladeurs numériques…). En outre, la nouvelle densité assure une plus forte rentabilité pour ses fabricants.

L’annonce d’IMFT intervient avec quasiment un an de retard. Initialement, le 3 bits par cellule avait été annoncé pour fin 2009. Il semble donc qu’Intel et Micron aient rencontré des difficultés inattendues. Notamment au niveau de la finesse de gravure dont le 25 nm n’a été atteint que début 2010.

IMFT n’est pas le seul acteur à développer la technologie multibits par cellules. En octobre 2009, Sandisk a notamment présenté sa technologie x4 qui vise à supporter 4 bits par cellule. Un avantage certain par rapport à l’offre d’IMFT mais perdu par une finesse de gravure bien plus élevée de 43 nm.


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