Intel, Samsung et Toshiba co-développeraient des chips SSD

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De façon inattendue, les trois géants, concurrents, de l’électronique Intel, Samsung et Toshiba feraient alliance pour co-développer des composants ‘flash NAND’, SSD et microprocesseurs associés

L’américain Intel s’apprêterait à signer  un accord sans précédent: selon les agences de presse Nikkei (Japon) et Reuter, ce serait la première fois que le géant américain du microprocesseur signerait un tel accord de co-développement, aux termes duquel il fabriquerait des composants selon sa technologie de miniaturisation en 22 nanomètres -et, dans quelques années, en 10 nanos (cf. notre article : Intel confirme des processeurs 22 nanos pour 2011‘) – en coopération ou pour le compte de ses nouveaux “allies”, le coréen Samsung et le japonais Toshiba. Ce serait bien une ‘première’.

Il est question de créer un consortium de 10 compagnies, qui aurait pour objectif la fabrication de semiconducteurs et de produits connexes. L’accord porterait sur des ‘chips’ mémoires ‘flash’ de logique NAND, ainsi que sur une nouvelle génération de microprocesseurs plus puissants et plus économes en énergie, destinés notamment à accélérer et à miniaturiser encore plus la technologie des mémoires SSD (appelée à remplacer, partiellement, les disques durs).  L’accord prévoirait explicitement des co-développements visant à passer de la technologie 22 à 10 nanos à l’horizon 2016.

Pour rappel, Samsung et Toshiba se classent respectivement au 1er et 2è rang mondial des fabricants de mémoires ‘flash’ NAND.   Intel et Samsung figurent parmi les industriels les plus avancés dans la fabrication de mémoires ‘flash’ de technologie 20 nanos (20 millionièmes de millimètres, soit 3000 fois plus fin qu’un cheveu) capables de stocker 2 ou 3 ‘bits’ par cellule.

Un porte-parole d’Intel, interrogé par Computerworld, a refusé de commenter, parlant d’informations “spéculatives” mais sans démentir le contenu des articles et dépêches. L’agence Nikkei révèle que le ministère japonais de l’économie du commerce et de l’industrie serait prêt à financer la moitié du coût de ce programme soit environ 60 millions de dollars sur les 122 millions estimés.   En juillet dernier, Toshiba avait annoncé la construction de ‘Fab 5’, une nouvelle unité de fabrication de chips de cette même famille (flash NAND) sur son site de Yokkaichi.

Il est vrai que l’on s’attend à un boom des mémoires SSD, mais leur prix reste encore élevé.  La perspective d’une miniaturisation à 10 nanos laisse quelques experts sceptiques, car le taux d’erreur risque d’augmenter. Il est certes possible de rendre les systèmes de correction d’erreur encore plus sophistiqués mais la solution passera aussi par le recours à de nouveaux matériaux ou substrats, autres que le silicium pur: il est notamment question de recourir à des ‘filaments’ ou ‘voies’ [paths] insérés dans le silicium.


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