Jay Kidd (NetApp) : « Il existe des alternatives au stockage flash »

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Jay Kidd, CTO de NetApp

NetApp donne l’impression d’être timoré sur la mémoire ‘flash’ et les SSD. Jay Kidd explique qu’il faut savoir attendre, par exemple la technologie PCM.

Le CTO de NetApp n’élude pas la question. À travers ses diverses présentations, la firme donne le sentiment de ne pas pousser la mémoire flash, en format SDD ou non. Faut-il nuancer et faire, notamment, la différence entre les flash de technologie MLC et celles en SLC ? Pour Jay Ridd, la question est ailleurs.

« Dans nos annonces, pour diverses raisons, c’est vrai nous poussons relativement peu l’awareness [la promotion, la visibilité] de ces technologies pourtant efficaces et fort prometteuses. Historiquement, on a commencé avec les mémoires ‘caches’ avec la technologie flash il y a 3 ou 4 ans. Nous avons déployé au total quelque chose comme 17 pétaoctets de mémoire flash ! »

Jay Kidd, CTO de NetApp
Jay Kidd, CTO de NetApp

« La vraie question est de savoir comment les combiner, de façon optimale, avec le stockage de haute densité. Voyez nos annonces d’août dernier : Flash Accel’ et notre accord avec Fusion IO pour revendre leur offre. »

« Par ailleurs, les technologies flash et SSD actuelles, représentent beaucoup moins de 10% des ventes – peut-être 2% seulement, avec quelques dizaines de millions de dollars, contre 45 milliards pour le total du marché du ‘stockage’. Elles n’en sont encore qu’à leur début, notamment en termes de fiabilité. »

NetApp propose bien certaines configurations intégrant le flash ?

« Nous savons intégrer les mémoires flash et les SSD. Nous pourrions fournir une baie 100% en flash, mais il existe encore d’autres solutions adéquates. La question est celle de la répartition entre les performances I/O et combien de données ‘serveur’ à traiter. Car la déduplication, en phase primaire, est une partie de la solution, mais c’est trop lent. »

« Pour l’heure les atouts du ‘flash’ c’est de pouvoir accélérer les I/O par rapport aux accès disque, par exemple dans des solutions de VDI : c’est notre réponse Flash Accel. Donc, là où il y a des temps de latence, il est intéressant d’installer de la mémoire flash dans le serveur sur le bus PCI Express, comme de la mémoire ‘cache’. »

Il y aussi la question du prix, non?

« Oui, il y a ensuite le critère économique : il faudra attendre 3 à 4 ans avant que le prix des flash MLC tombe au niveau des disques SAS. Et il reste la question du déséquilibre entre la vitesse de lecture (read) et celle d’écriture (write). On en est encore à un ratio de 1 à 15. Et donc le disque, dans beaucoup de configurations, reste compétitif. »

« Donc, oui : pour des données complexes et volumineuses, il est intéressant d’accélérer les flux de production comme nous le proposons sur la nouvelle plateforme NetApp E-Series. Le cache SSD permet de stocker des blocs de données “sensibles” sur des disques SSD de façon automatique, ce qui booste les performances de l’application. »

NetApp, portefeuille offre 'flash SSD'__
NetApp, portefeuille offre ‘flash SSD’

« Les données les moins sollicitées restent stockées sur des disques durs, plus économiques et de plus grande capacité.
Ainsi, le cache SSD favorise la hiérarchisation intelligente du stockage. Il faut arbitrer l’accès rapide à certaines données stratégiques, tout en fournissant une densité de stockage économique pour les périodes de rétention prolongées. »

Que faut-il attendre ? La technologie PCM, par exemple?

« Oui, la R&D dans ce domaine progresse toujours. Avec la technologie de logique NAND, même en 10 nanomètres, il sera difficile de descendre en dessous de certaines limites physiques. Il faut regarder d’autres technologies comme la mémoire PCM (phase-change memory) qui vont apporter plus de persistance de mémoire. »(*)


(*) Détaillée par IBM pour la première fois en juin 2011, à partir de ses laboratoires de Zurich, la Phase-Change Memory (PCM) est une mémoire non volatile, qui stocke plusieurs bits de données par cellule pendant des périodes prolongées, ce qui en fait une solution très résistante. Elle peut supporter 10 millions de cycles d’écriture contre 30 000 cycles pour les meilleurs produits flash.  Les données sont écrites en 10 microsecondes, soit 100 fois plus vite que la technologie flash.  La démonstration a été faite à partir d’un substrat CMOS gravé en 90 nanomètres et comprenant 200.000 cellules et testé durant 5 mois.  Cette mémoire multi-bit PCM, qui, affirme IBM, serait disponible en 2016, est prometteuse pour les terminaux mobiles (smartphones et tablettes) et les unités de stockage. cf. article IBM met au point une mémoire 100 fois plus rapide que la flash.


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