Le stockage sur électron libre

Le japonais NTT annonce la création d’un périphérique de mémoire basé sur une technologie dite de « l’électron libre »

La suprématie de la technologie CMOS pourrait bien avant cinq ans rencontrer de nouveaux et sérieux concurrents avec des techniques de semiconducteurs plastiques ou de transistors dits en « électron libre ».

Nouvel exemple de cette évolution, le Nihon Keizai Shimbun révèle la création par NTT d’une nouvelle technologie de mémoire basée sur l’électron libre. La technique permet de stocker des données codifiées en 5 bits et fonctionnerait à température ambiante. Elle profiterait de vitesses de transfert des données plus rapides que celle des systèmes de mémoire classique. Mais surtout, selon NTT, le gros avantage de cette technologie serait industriel, car la fabrication pourrait exploiter les lignes de production des DRAM.