Mémoire flash: Intel et Micron produiront des NAND MLC 3bits fin 2009

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Un manager de Micron  confirme l’avancée de leurs développements communs avec Intel dans les mémoires flash NAND  à multi-niveaux, en technologie 34 nanomètres

Le directeur marketing de l’industriel Micron, Kevin Kilbuck, a confirmé ce 11 août que la co-entreprise fondée aux Etats-Unis en 2005 avec Intel, IMFT (IM Flash Technologies), commencera à produire des mémoires flash MLC (multi-level-cells) à 3bits par cellule(3 bpc) au 4è trimestre 2009.

Cette technologie nouvelle s’inscrit dans la suite des développements des deux partenaires annoncées mi-2008, s’agissant des technologies de mémoires flash NAND en 34 nano-mètres (contre 50 nanos précédemment).

Ces puces de mémoire flash NAND en 34 nm, avec une surface de 172 mm², font partie des produits les plus miniaturisés dans ce domaine, dominé par quelques autres industriels, dont SanDisk, Samsung…

Le 22 juillet dernier, Intel a annoncé les nouvellesunités SSD SATA X25-M (Mainstream), composées de cellules multiniveaux (multi-level cells, MLC) destinées aux PC portables ou de bureau et déclinées en versions d’une capacité de 80 et 160 Go. Des unités sur lesquelles Intel reconnaît avoir quelques soucis (cf: Intel corrige le bug de ses ssd )

Parmi les questions pouvant rester en suspens, se trouve la revendication possible de brevets MLC à 3 bits par cellule, précisément, par le concurrent SanDisk.

Dans des propos rapportés par le Wall Street Journal, ce 11 août, Kevin Kilbuck se veut rassurant à ce sujet, certain, a-t-il dit, de disposer ‘d’éléments solides’ pour justifier la propriété intellectuelle en ce domaine, face à son concurrent.


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