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Mémoire flash NAND : le partenariat entre Intel et Micron s’achève

Dans le secteur des semi-conducteurs, la création d’IM Flash Technologies (IMFT) remonte à 2006.

Cette co-entreprise entre Intel et Micron est destinée à la mutualisation des efforts de R&D et à la production de mémoires flash à portes NAND. Elle avait débuté par de la NAND produite dans une technologie planaire 72 nm (nanomètres).

Mais la coopération sera interrompue après le développement de la technologie NAND 3D de troisième génération, qui sera livrée entre la fin de l’année et début 2019.

Actuellement, Intel et Micron lancent des produits basés sur leur deuxième génération de technologie NAND 3D à 64 couches.

Rob Crooke, Vice-Président en charge de la division de solutions de mémoire non volatile chez Intel, précise dans un communiqué : « Intel et Micron ont alimenté un partenariat fructueux à long terme qui a profité aux deux sociétés. Nous avons atteint un stade de développement NAND (…) où le moment est venu pour les entreprises de poursuivre sur les marchés de prédilection ».

Officiellement, il s’agit donc pour les deux groupes de mieux optimiser la technologie et les produits pour les besoins propres associés à leurs stratégies respectives.

En effet, chaque acteur avait pris soin de se concentrer sur différents domaines du marché des mémoires NAND.

Intel s’est concentré sur ses propres SSD (Solid-State drive, support de stockage de données sur de la mémoire Flash) tandis que Micron fournit des SSD mais aussi des puces NAND.

Selon Jim Handy, analyste principal pour Objective Analysis (expertise sur les semi-conducteurs) cité par Eetimes, la montée en puissance de l’usine de 300 mm d’Intel à Dalian en Chine pour produire de la 3D NAND (qui a commencé il y a deux ans) a rendu Intel moins dépendant de Micron.

Ce partenariat Intel-Micron à travers IMFT avait permis de parvenir au  quatrième rang mondial dans la production de flash NAND.

Néanmoins, l’arrêt de cette collaboration n’est pas une surprise : les deux firmes technologiques avaient développé leurs propres usines ces dernières années.

Plusieurs indices tendaient vers une fin de l’accord. Intel n’avait pas investi dans la technologie planaire 16 nm de Micron, préférant se concentrer alors sur la première génération de NAND 3D.  En 2012, Intel s’était aussi désengagé de certaines usines d’IMFT. Les parts avaient été cédées à son partenaire Micron.

En revanche, la collaboration se poursuit autour du développement et de la production conjoints de la mémoire 3D XPoint à Lehi (Etat de l’Utah, USA).

Cette usine est en effet exclusivement dédiée à la production de mémoire 3D XPoint. A l’instar de la flash NAND, il s’agit de mémoire non volatile. Mais, ses performances sont plus élevées, avec la promesse de capacités supérieures.

(Crédit photo : @Intel)

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