Après la TCL (Three Level Cell), soit des points mémoire de 3 bits, Samsung entame la production de masse de sa mémoire V-NAND QLC (Quad Level Cell). Il est donc question d’une augmentation de la densité de 33 %.
Le groupe sud-coréen précise que, malgré cette densité accrue, les performances restent équivalentes à celles de sa flash TLC (3 bits par point mémoire).
Cette mémoire flash 64 couches de nouvelle génération va faire ses débuts dans un SSD de 4 To offrant « des performances comparables à celles des SSD SATA à flash 3 bits », précise Samsung dans son communiqué de presse.
Le SSD SATA 2,5 pouces intègre 32 puces de 1 Tb chacune. Ces puces de 128 Go pourront aussi trouver leur place dans ses smartphones.
Ses performances sont, en lecture séquentielle, de 540 Mo/s et, en écriture séquentielle, de 520 Mo/s. Le dispositif de stockage est garanti 3 ans. Pour l’heure, Samsung n’a pas divulgué les vitesses d’E / S aléatoires.
Cette annonce de Samsung de son nouveau SSD QLC 4 To fait suite aux annonces d’Intel, Micron, Western Digital et Toshiba relatives à de la flash QLC. Seul le fabricant de flash SK Hynix n’a pas annoncé de produit QLC.
De son côté, Samsung prévoit également de lancer plusieurs SSD grand public 4 bits plus tard cette année avec des capacités de 1 To, 2 To et 4 To dans le format de 2,5 pouces..
« Le nouveau SSD SATA 4 bits de Samsung annoncera un passage massif aux disques SSD de plusieurs téraoctets pour les consommateurs« , a déclaré Jaesoo Han, vice-président exécutif des ventes et du marketing chez Samsung Electronics. « Au fur et à mesure que nous étendons notre gamme à tous les segments de consommateurs et à l’entreprise, les SDD de plusieurs To à flash 4 bits se répandront rapidement sur l’ensemble du marché.«
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