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Micron annonce de la flash NAND MLC 128 Gb gravée en 16 nm

En avril dernier, Samsung montait au créneau en dévoilant des puces de mémoire NAND MLC (Multi Level Cell : 3 bits par cellule) de 128 Gb, soit 16 Go, gravées en classe 10 nm (entre 10 et 20 nm) dans ses fabs.

C’est au tour de Micron, acteur clé avec Intel de la coentreprise Intel Micron Flash Technology (IMFT), d’annoncer un module mémoire NAND flash MLC de 128 Gb gravé en 16 manomètres (nm).

« La plus petite flash NAND MLC 128 Gb de l’industrie »

Le fabricant américain précise que sa NAND MLC 16 nm est destinée à des dispositifs aussi variés que des cartes flash, des clés USB, des tablettes, des smartphones ou encore des SSD. SSD que la firme basée à Boise dans l’Idaho commence a développer sur la base de ce qu’elle présente comme étant la plus petite NAND MLC 128 Gb de l’industrie.

Si Micron précise que son nouveau module MLC conserve une architecture similaire à la 128 Gb gravée en 20 nm avec 2 bits par cellule, aucune information sur la vélocité n’a été donnée (vitesses de lecture, de programmation ou d’effacement d’une page).

En production fin 2013 et dans des SSD Micron en 2014

L’organisation met en œuvre 512 pages de 16 ko pour chacun des blocs, soit 8192 ko (8 Mo). Mais, Micron est resté laconique sur les autres attributs de son tout nouveau module. On ne connait ainsi pas la taille de la puce ou encore sa densité généralement exprimée en nombre de gigabits par mm², même si Micron lui attribue le titre de « plus petite NAND MLC 128 Gb de l’industrie« .

Quant à l’endurance, le nouveau module MLC peut encaisser jusqu’à 3000 cycles de programmation/effacement par cellule. On reste loin de l’endurance de la NAND SLC (environ 100 000 cycles) ou même de la NAND MLC développée spécifiquement pour le milieu professionnel (eMLC).

Alors que des échantillons sont dès à présent disponibles, la production est programmée pour le quatrième trimestre de l’année 2013. Les SSD basés sur cette NAND MLC 16 nm devraient arriver dès 2014.

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