NXP dompte les signaux RF pour produire de l’énergie

Composants

A l’occasion de l’IEEE International Microwave Symposium, NXP Semiconductors a lancé la première gamme complète de transistors RF de puissance pour l’ISM 2,45 GHz permettant d’utiliser l’énergie RF comme source de chaleur efficace et contrôlable.

Utiliser et maîtriser l’énergie des signaux RF (Radio Frequency) comme source de chaleur, c’est ce que propose NXP (The consumer Next Experience) avec sa gamme de transistors RF de puissance. Elle a été dévoilée lors de l’IEEE International Microwave Symposium 2013 qui se tenait du 2 au 7 juin à Seattle.

Fonctionnement dans la bande ISM des 2,45 GHz

Conçus spécialement pour la bande ISM (industriel, scientifique, et médical) des 2,45 GHz, ces transistors LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor) 28 volts ouvrent la voie à de nombreuses applications.

La bande de fréquences dans laquelle ils opèrent peut être utilisée sans demande d’autorisation auprès des autorités compétentes.

La RF comme source d’énergie optimisée et contrôlée

Le constructeur hollandais a fait la démonstration de plusieurs applications utilisant la puissance des signaux RF. On notera une bougie RF comme alternative aux systèmes d’allumage classiques pour moteurs thermiques, une lampe à plasma délivrant une lumière de 140 lumens par watt et un four pouvant cuire les aliments de manière parfaitement uniforme et précise.

Les transistors RF de puissance BLF2425M et ceux de la série BLF25M offrent une vaste gamme de puissances comprise entre 12 et 350 watts.

Un vaste éventail d’applications

NXP a développé ce portefeuille de produits dédié à l’ISM en travaillant précisément avec des clients leaders sur les solutions utilisant les ondes RF.

Leurs applications comprennent les appareils électroménagers pour la cuisine (en remplaçant le magnétron dans les fours à microondes par exemple), le chauffage, le séchage, des dispositifs pour des actes médicaux de précision et les moteurs automobiles.

« De l’allumage automobile à l’éclairage par ondes RF en passant par les appareils électroménagers, les économies d’énergie potentielles que nous pourrions réaliser en utilisant la puissance RF à l’échelle de la société sont énormes », a déclaré Mark Murphy, directeur du marketing pour la gamme de produits d’alimentation RF, au sein de NXP Semiconductors.

Mark Murphy d’ajouter : « Au cours des 10 dernières années, les ingénieurs explorant les façons d’exploiter l’énergie RF ont dû se contenter d’utiliser les magnétrons avec très peu ou quasiment pas de contrôle – avec comme seul paramètre le niveau de puissance absolu qu’ils pouvaient régler pour les applications industrielles, scientifiques et médicales. Avec notre nouveau portefeuille dédié à l’ISM 2,45 GHz, nous fournissons des transistors de puissance RF à semi-conducteurs qui ont été optimisés pour cette bande de fréquence importante, avec un ensemble complet d’options pour différents niveaux de puissance, de contrôle et de coût. »

Les transistors BLF2425M6L(S)180P, BLF2425M7L(S)140 et BLF2425M7L(S)250P sont actuellement en production tandis que des échantillons du modèle BLF25M612(G) sont disponibles sur demande.

NXP_transistor_puissance_RF_BLF2425M7LS250P

NXP_transistor_RF_puissance_BLF25M612G


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