Kioxia Corporation, le chef de file mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui qu’elle avait reçu le Prix 2022 de l’invention du programme Éloge national de l’invention pour son invention de l’optimisation de la méthode de lecture pour la mémoire flash multi-niveaux (brevet n° 4892307). L’Éloge national de l’invention, qui remonte à 1919, est un programme japonais visant à promouvoir la science et la technologie et à reconnaître les secteurs proposant des inventions, des idées et des conceptions exceptionnelles. Il s’agit de la troisième année consécutive que Kioxia reçoit un prix de ce programme prestigieux.
Lauréats (tous deux employés de Kioxia) :
- Mitsuaki Honma, spécialiste principal, service de gestion de la conception de mémoire, division mémoire
- Noboru Shibata, assistant du directeur général, centre de recherche et de développement des technologies informatiques, Institut de recherche et de développement de la technologie de mémoire
En adoptant un nouveau codage à bit innovant et plus également distribué, la technologie récompensée de Kioxia réduit le taux d’erreurs maximal escompté dans la mémoire flash multi-niveaux, et réduit la surface de la puce nécessaire pour le stockage des codes de corrections d’erreurs (error correction codes, ECC). Par ailleurs, ce développement révolutionnaire améliore la latence de lecture maximale de la mémoire flash.
En réponse à la demande croissante de stockage à grande capacité dans notre société numérique, la mémoire flash devient de plus en plus multi-niveaux, permettant à plus d’un bit de données d’être stockés dans chaque cellule de mémoire. La mémoire flash multi-niveaux, dans laquelle trois bits de données ou plus sont stockés dans chaque cellule de mémoire, nécessite un nombre encore plus élevé d’opérations de détermination afin de distinguer un certain état (tension seuil) d’une cellule de mémoire pour la lecture des données. En outre, les écarts dans le nombre d’opérations de détermination allouées parmi les bits sont encore plus importants dans la mémoire flash multi-niveaux, ce qui nécessite des capacités de correction d’erreur plus élevées. Dans le codage à bit conventionnel, la lecture d’un certain bit nécessite un nombre plus important d’opérations de détermination (c.-à-d., une lecture plus intense) par rapport à la lecture d’autres bits ; cela provoque davantage d’erreurs aggravées dans la lecture de ces bits. Cela signifie qu’une plus grande surface de puce est nécessaire pour stocker les données provenant du nombre accru d’ECC. Cette augmentation des opérations de détermination avec le codage à bit augmente également la latence de lecture pour ces bits.
Guidée par sa mission qui consiste à édifier le monde avec la mémoire, Kioxia s’investit dans des recherches et un développement technologique qui offrent de la valeur aux gens du monde entier.
À propos de Kioxia
Kioxia est un leader mondial des solutions de mémoire, consacré au développement, à la production et à la vente de mémoires flash et de disques durs à semi-conducteurs (solid-state drives, SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory s’est séparé par essaimage de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. En matière de mémoire, Kioxia vise à édifier le monde en proposant des produits, services et systèmes qui offrent davantage de choix pour les clients et créent plus de valeur basée sur la mémoire, pour la société. La technologie de mémoire flash 3D innovante de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage dans les applications à haute densité, telles que les smartphones, les ordinateurs, les disques SSD, les produits automobiles et les centres de données les plus sophistiqués.
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