Transphorm Inc. (OTCQB : TGAN), un pionnier et fournisseur mondial de produits de conversion de puissance, au nitrure de gallium (Gallium Nitride, GaN), haute performance et d’une grande fiabilité, a annoncé aujourd’hui la disponibilité des échantillons de son premier dispositif Gen V sous sa marque exclusive SuperGaNTM. Le TP65H015G5WS, nouveau dispositif Gen V de Transphorm, cible le marché des véhicules électriques (VE) et offre des améliorations à la pointe du secteur en matière de performances et de facilité de conception, ainsi que la structure de coûts optimisée inhérente à la gamme de dispositifs SuperGaN. En particulier, la solution GaN Gen V de la Société offre la résistance à l’état passant en boîtier, la plus faible au monde, avec une perte de puissance inférieure de 25 % à celle du carbure de silicium (SiC) dans un boîtier TO-247-3 standard, renforçant ainsi le potentiel de GaN sur le marché de la conversion de puissance pour VE.
Ce communiqué de presse contient des éléments multimédias. Voir le communiqué complet ici : https://www.businesswire.com/news/home/20201203005420/fr/
Lowest Rds(on) SuperGaN™ FET in a TO-247 package from Transphorm poised for growth in EV market. (Graphic: Business Wire)
En mars 2020, Marelli, l’un des plus grands fournisseurs indépendants du secteur automobile à l’échelle mondiale, a annoncé un partenariat stratégique avec Transphorm dans le but de collaborer sur de nouvelles solutions de conversion de puissance automobile/VE basées GaN, notamment des chargeurs embarqués (On-board Chargers, OBC), des convertisseurs CA-CC, et des onduleurs de groupe motopropulseur pour véhicules électriques et hybrides. À ce jour, Marelli a fait un placement en actions de 4 millions USD dans Transphorm et s’est engagée à faire un placement en actions supplémentaire de 1 million USD au 1er trimestre 2021.
Le Dr Joachim Fetzer, PDG d’Electric Powertrain Marelli, a commenté en ces termes, « Transphorm a démontré qu’il était possible d’obtenir 10 kilowatts de puissance avec un dispositif GaN en boîtier discret dans une configuration de pont, confirmant ainsi le formidable potentiel de GaN pour les convertisseurs et onduleurs de véhicules électriques. Dans le cadre du partenariat que nous avons annoncé précédemment, nous allons continuer d’évaluer les dispositifs GaN à la pointe du secteur, de Transphorm, et joindre nos efforts à l’appui d’une feuille de route pluriannuelle concernant les produits de systèmes VE. »
« Nous continuons de faire évoluer la technologie FET SuperGaN de Transphorm, et offrons maintenant sur le marché la résistance à l’état passant la plus faible au monde, dans un boîtier TO-247-3 standard, destiné aux véhicules électriques et autres applications exigeant une plus haute conversion de puissance. Les clients obtiennent ainsi plus de dix kilowatts dans un seul dispositif, ce qui confirme la capacité de GaN à améliorer la performance, réduire le coût du système et augmenter la densité de puissance », a déclaré Primit Parikh, directeur de l’exploitation et co-fondateur de Transphorm. « Notre plateforme GaN Gen V présente de nouvelles opportunités en matière de conception pour les niveaux de puissance qui nécessitaient auparavant une mise en parallèle, tout en offrant plus de 99 % d’efficacité. »
La technologie SuperGaN™ de Transphorm surperforme le carbure de silicium
La plateforme SuperGaN Gen V intègre tous les acquis de la technologie d’inductance à boîtier réduit brevetée, la facilité de conception et la maniabilité (Ve de 4 V pour l’immunité au bruit), et la robustesse de grille de +/- 20 Vmax de la plateforme Gen IV précédente, ainsi qu’une structure d’assemblage simplifiée et réduite. Dans un article récent publié dans EEWorld, « Pushing the Boundaries of High Voltage GaN Power Conversion » (Repousser les limites de la conversion de puissance GaN haute tension), le TP65H015G5WS de la société a été comparé à un SiC MOSFET à résistance à l’état passant, similaire et à la pointe de la technologie, dans un boîtier TO-247-3 standard. Les deux dispositifs fonctionnaient à un niveau de performance pouvant atteindre 12 kW à 70 kHz dans un convertisseur élévateur synchrone à demi pont, le dispositif GaN de Transphorm offrant jusqu’à 25 % de pertes en moins.
Transphorm a commencé à offrir des échantillons du SuperGaN Gen V FET, un dispositif de 15 mΩ 650 V, qui n’est pas disponible avec la technologie GaN e-mode à puce unique actuelle, en raison de sa sensibilité de grille. La solution, qui correspond à la R la plus faible fournie par les SiC MOSFET ordinaires, dans un boîtier discret, est capable de produire plus de 10 kW selon l’application cible, comme les OBC VE et les onduleurs de groupe motopropulseur, les alimentations pour serveurs de centres de données alimentés par rack, les applications de puissance industrielles sans interruption, et les onduleurs photovoltaïques renouvelables. Le TP65H015G5WS sera également disponible pour les solutions de module de niveau puce permettant une autre mise en parallèle et encore plus de puissance. La Société s’attend à ce que son dispositif Gen V FET reçoive la qualification JEDEC vers la fin du premier semestre 2021, et la qualification AEC-Q101 par la suite.
À propos de Marelli
MARELLI figure parmi les plus importants fournisseurs indépendants du secteur automobile, à l’échelle mondiale. Avec une expérience solide et reconnue en matière d’innovation et d’excellence de fabrication, notre mission est de transformer l’avenir de la mobilité en travaillant avec des clients et des partenaires pour créer un monde plus sûr, plus vert et mieux connecté. MARELLI emploie près de 60 000 personnes à travers le monde, et gère 170 sites et centres de R&D à travers l’Asie, les Amériques, l’Europe et l’Afrique, lesquels ont généré des revenus de 13,4 milliards EUR (1 541 milliards JPY) en 2019.
À propos de Transphorm
Transphorm, Inc., un leader mondial dans la révolution GaN, conçoit et fabrique les semi-conducteurs GaN haute performance et haute fiabilité, pour les applications de conversion de puissance à haute tension. Transphorm possède l’un des plus importants portefeuilles de PI Power GaN de plus de 1000 brevets propriétaires ou sous licence, et produit les premiers dispositifs semi-conducteurs GaN haute tension, qualifiés JEDEC et AEC-Q101, du secteur. Le business model de dispositifs à intégration verticale, de la Société permet d’innover à chaque stade du développement : conception, fabrication, dispositif et prise en charge d’applications. Les innovations de Transphorm entraînent l’électronique de puissance au-delà des limites du silicium, pour atteindre plus de 99 % d’efficacité, 40 % de densité de puissance supplémentaire, et une réduction de 20 % du coût de système. Transphorm a son siège à Goleta, en Californie, et des installations de fabrication à Goleta et à Aizu, au Japon. Pour en savoir plus, rendez-vous sur www.transphormusa.com. Suivez-nous sur Twitter @transphormusa.
La marque SuperGaN est une marque déposée de Transphorm, Inc. Toutes les autres marques de commerce appartiennent à leurs propriétaires respectifs.
Le texte du communiqué issu d’une traduction ne doit d’aucune manière être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse foi est celle du communiqué dans sa langue d’origine. La traduction devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.
Consultez la version source sur businesswire.com : https://www.businesswire.com/news/home/20201203005420/fr/
