R&D : ReRAM, une alternative à la mémoire flash signée Fujitsu

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Basse consommation et fluctuation limitée de la valeur de résistance électrique, c’est la ReRAM (Resistive RAM) version Fujitsu

Le géant japonais Fujitsu annonce une nouvelle technologie de mémoire non volatile, la ReRAM (Resistive Random Access Memory), alternative à la mémoire flash, mais dont les performances pourraient séduire les fabricants d’appareils mobiles dans un avenir proche.

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Développée par les Fujitsu Laboratories de Kawasaki, au Japon, la mémoire ReRAM classique s’est vu adjoindre du titanium à la structure d’oxyde de nickel qui la compose. Avec cette astuce, les chercheurs ont pu constater que la consommation d’énergie nécessaire pour effacer la mémoire a été ramenée à 100 micro-ampères, voire moins.

Ils ont également constaté que la fluctuation de la valeur de résistance électrique, une performance qui est particulièrement sensible sur les mémoires lorsque l’on réalise des opérations répétées d’écriture et d’effacement, était réduite de l’ordre de 90 % avec cette technologie.

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Concrètement, cela se traduit par la possibilité de réduire fortement la consommation de la mémoire, en ne l’augmentant que lors des opérations d’effacement, tout en réalisant des opérations à la vitesse de 5ns, soit 10.000 fois plus rapidement qu’auparavant.

Rapide, performante, d’une taille plus réduite, mais également d’un coût de fabrication moins élevé, la ReRAM de Fujitsu se positionne désormais en remplaçante potentielle de la mémoire flash, même si cette dernière est encore loin d’avoir fait la démonstration de ses plus hautes performances. Peut être sur les futurs SSD (Solid-State Disk), les disques durs flash ?


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