Révolution : Intel découvre un substitut au silicium
Intel doit révéler, à la conférence des semiconducteurs de Tokyo, de nouveaux matériaux qui vont remplacer le siliciumet des circuits
‘ La course à la miniaturisation des circuits rencontre des limites physiques : la multiplication des circuits sur les ‘chips’ de taille de plus en plus réduite entraîne de sérieuses problématiques de ‘fuites’ électriques.
Ces problématiques proviennent en particulier du dioxyde de silicium, qui sert de lien entre les circuits. Ce dernier se révèle parfois poreux lorsqu’il est employé dans les liaisons ultra fines. Intel devrait donc annoncer cette semaine la découverte d’un nouveau matériau destiné à remplacer ce métalloïde dans les liaisons entre circuits. Les liaisons? et les circuits. Toujours plus ! Intel a planifié l’expérimentation de deux nouveaux métaux dans la fabrication de ses circuits. Et le fondeur n’envisagerait pas de protéger ses développements par des brevets ! Il est vrai qu’en fonction de l’avancée de ses recherches, Intel disposera de 4 à 5 ans d’avance sur ses concurrents. Du coup, Intel redonne un coup de jeune à la loi de Moore, sur le doublement du nombre de transistors au pouce/carré tous les douze mois (une affirmation émise durant les années 60 par Gordon Moore, l’un des fondateurs? d’Intel).
