Snapdragon 855 : vers une puce gravée par TSMC en 7 nm

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La future puce mobile haut de gamme Snapdragon 855 signée Qualcomm pourrait être gravée dans une technologie 7 nm par TSMC et non pas Samsung.

Qualcomm fait de la finesse de gravure un allié précieux dans la course à la puissance et à l’efficacité énergétique de ses puces mobiles.

C’est la raison pour laquelle son futur SoC (System on Chip) Snapdragon 855 devrait être gravé en 7 nm par Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC). Un choix qui se ferait donc au détriment de Samsung, indique Nikkei Asian Review.

Si la firme sud-coréenne produit actuellement dans ses fabs le Snapdragon 845 (et avait également produit les Snapdragon 835 et 810), elle aurait en effet été coiffée au poteau par TSMC pour une question de finesse de gravure.

Le nouveau processeur de Qualcomm devrait bénéficier de la dernière technologie 7 nanomètres de TSMC. C’est ce même process qui devrait être utilisé pour les futurs SoC Axx d’Apple en 2018.

TSMC va commencer la production de masse de puces en 7 nm au premier semestre 2018 et exploitera ensuite la lithographie de nouvelle génération dite « extrême ultraviolet » (EUV pour « Extreme ultraviolet lithography ») afin de fabriquer des puces « 7 nm plus » en 2019.

Samsung va sauter la technologie 7 nm pour se focaliser directement sur le process 7 nm plus avec exploitation de l’EUV. C’est d’ailleurs la raison pour laquelle le géant sud-coréen ne serait en mesure de les produire dans cette dernière technologie qu’à compter du second semestre 2018.

Au premier semestre 2018, c’est toutefois la puce Snapdragon 845 de Qualcomm, récemment dévoilée, qui devrait équiper les terminaux mobiles « flagships », tels que le Samsung Galaxy S9 et le Mi 7 signé Xiaomi. Elle est gravée dans un process FinFet 10 nm par Samsung, au même titre que l’A11 Bionic d’Apple et le HiSilicon Kirin 970 de Huawei.

Le Snapdragon 855 prendra la relève ensuite, peut-être vers la fin 2018.

(Crédit photo : @Qualcomm)

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