Soitec annonce une avancée technologique majeure

Régulations

Avec Smart Cut, le leader mondial du Silicium sur Isolant (SOI) annonce une avancée majeures et brevetée de transfert et collage de couches pour les semi-conducteurs

Soitec a réalisé une première mondiale avec le transfert d’un film mince monocristallin de nitrure de gallium (GaN) sur substrat isolant.

Cette technologie brevetée dénommée Smart Cut annonce l’arrivée de nouveaux substrats de nitrure de gallium (GaN) sur isolant. Elle ‘constitue une avancée significative ouvrant des perspectives nouvelles pour le développement de diodes électroluminescentes bleues et blanches de forte luminosité, ainsi que l’amélioration des composants radio fréquence (RF) de puissance‘. Soitec répond ainsi aux attentes de l’industrie, qui cherche à diversifier ses substrats. Une diversification de la gamme de substrats actuelle ou en cours de développement, tels que le carbure de silicium sur polysilicium (SoPSiC), le carbure de silicium sur isolant (SiCOI) et le silicium sur carbure de silicium polycristallin (SiCopSiC). La technologie a été développée par le Scealab, le Smart Cut Enabling Application Laboratory, laboratoire de recherche de la division Picogiga International du groupe Soitec, en collaboration avec le consortium de recherche français CEA-Leti.


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