La Chine a ouvert une enquête sur les trois principaux fabricants de mémoires dynamiques (DRAM). Ils sont soupçonnés de collusion pour orienter les prix à la hausse.
Les performances de la division semi-conducteurs de Samsung (en particulier les DRAM) ont permis de déloger Intel de sa première place mondiale.
Samsung vient de débuter la production des premières puces de mémoire GDDR6 de 16 Gb destinées aux solutions graphiques de prochaine génération.
Le marché de la mémoire vive DRAM reste toujours aussi tendu avec une baisse des prix qui n’est toujours pas entrevue.
HPE poursuit sa R&D concernant le futur de l’informatique. Dénommé The Machine, cet ordinateur accueille une DRAM unique de 160 To.
Avant la dernière émission télé avec les 11 candidats, il est temps de lire les télégrammes du soir.
La PCM d’IBM passe à 3 bits par cellule. Son coût de production devrait ainsi tomber sous celui de la DRAM, pour se rapprocher de celui de la mémoire Flash.
33 % plus rapide, 15 % moins gourmande en énergie, la nouvelle DRAM 10 nm de Samsung promet des merveilles… et des barrettes de DDR4 PC25600 à 3200 MHz.
La mémoire à changement de phase pourrait s’être trouvé un premier usage, dans les datacenters. Elle concurrence ainsi efficacement la DRAM dans les solutions RDMA.
Selon la presse américaine, Tsinghua Unigroup serait en train de préparer une OPA de 23 milliards de dollars sur Micron. La firme américaine est spécialisée dans la fabrication de mémoires NAND et DRAM.
Des chercheurs des laboratoires de Google ont développé une attaque contre les modules de mémoire vive, DDR. Cette faille connue en théorie permet d’inverser les bits et de prendre le contrôle d’un ordinateur.
Après Micron, c’est Samsung qui a consenti à signer un accord avec Rambus portant sur des licences relatives à ses technologies de bus et de DRAM. Rambus noyaute ainsi encore un peu l’ensemble du marché de la DRAM. Mais cette stratégie a des limites : de nombreux brevets détenus par la société étant en passe d’expirer.
SK Hynix annonce une puce de DRAM LPDDR4 de 8 Gb, rejoignant ainsi Samsung. La voie est ouverte pour des terminaux mobiles intégrant 4 Go d’une mémoire vive deux fois plus véloce que l’actuelle LPDDR3.
Selon des chercheurs, une nouvelle méthode de stockage sur la mémoire MRAM offrirait 20 ans de conservation de la donnée.
Les choses s’accélèrent du côté de la DRAM puisque Samsung annonce le premier module LPDDR4 de 8 Gb. La voie est ouverte pour des puces de 4 Go dans les tablettes et smartphones.
Le chiffre d’affaires mondial du marché des semiconducteurs a augmenté de 5,2% entre 2012 et 2013, selon Gartner. C’est le secteur de la mémoire qui a été le principal artilleur de cette croissance.
OCZ Technology va mettre la clé sous la porte. Le spécialiste des SSD s’est placé sous la protection de la loi sur les faillites aux Etats-Unis. Mais ses actifs pourraient être achetés intégralement par Toshiba.
Dire que les jours de la DRAM sont comptés est peut être un brin exagéré. Mais toujours est-il qu’une alliance américano-japonaise vient de se former pour la supplanter par la MRAM.
Secteur déprimé depuis plusieurs années, le marché de la DRAM reprend des couleurs avec des profits record, les plus élevés en 3 ans. Le secteur semble avoir digéré la délicate transition vers l’ère post-PC.
Micron vient d’annoncer la livraison des premières puces de mémoire 3D Hybrid Memory Cube HMC. Destinée aux calculs haute performance et aux équipements réseaux, cette DRAM hybride de nouvelle génération offre une bande passante vertigineuse.
Un nouveau type de stockage plaçant la mémoire flash dans un module DRAM a été mis au point pour répondre à des besoins professionnels spécifiques. Baptisé ULLtraDIMM, il se caractérise par un temps de latence ultra faible.
SK Hynix Semiconductors annonce un bénéfice net record pour le trimestre qui s’est terminé le 30 juin 2013.
Micron désire combiner DRAM et mémoire à portes NAND pour tirer profit de la vitesse de la première et de la non-volatilité de la flash. La société américaine a ainsi fait la démonstration de sa toute première mémoire hybride NVDIMM.
L’acquisition d’Elpida Memory par Micron Technology et le retrait de fabricants taïwanais du secteur de la DRAM pourraient signer une reprise du marché avec des profits pour les différents fabricants.
L’Université de Princeton et Fusion-IO expérimentent une carte flash PCIe de 2,64 To, qui, via une solution logicielle, est assimilée à la mémoire vive d’un serveur.
Gourmand en mémoire flash NAND, l’iPad continuera selon toute vraisemblance à concentrer l’essentiel de la demande sur ce marché jusqu’à l’horizon 2015. La démultiplication de l’offre concurrente remettra progressivement en cause cette domination.
Steve Appleton, le P-DG de Micron Technology, est décédé vendredi 3 février dans un accident d’avion. Sa disparition pourrait affecter la consolidation entrevue entre Micron et Elpida, et avoir des répercussions sur le secteur de la DRAM.
La startup Venray se targue d’avoir développé une architecture intégrant SDRAM et CPU sur une même puce. Consommation électrique réduite et performances accrues sont les promesses de cette technologie.
Elpida, le dernier constructeur japonais de mémoire DRAM, pourrait sceller un accord avec la société coréenne Micron. Un sauf-conduit qui permettrait à la nouvelle entité d’atteindre une taille critique dans un secteur en berne.
La demande en mémoire DRAM croit à un rythme effréné avec l’arrivée des tablettes sur le marché. En 2015 les ardoises numériques consommeront 725 millions de Go de mémoire.
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