Actualités mémoire

La mémoire imprimable pointe le bout de son nez

Des scientifiques ont élaboré une technique pour imprimer une mémoire via une imprimante 3D et des encres à base de nanoparticules. Les débouchés sont nombreux, notamment dans l’IoT.

La ReRAM se prend pour un processeur

Une équipe de chercheurs a trouvé une méthode pour que la ReRAM effectue des tâches informatiques initialement dévolues aux processeurs.

Détecter et résoudre les problèmes de mémoire

Un seul bit vous manque et tout est dépeuplé. Les erreurs mémoire sont courantes et, la plupart du temps, sans conséquences majeures. Mais, dans le cas de traitements lourds et intensif, elles peuvent s’avérer dévastatrices.

Attaque Flip Feng Shui : Et les VM du Cloud deviennent poreuses

Des chercheurs ont peaufiné la technique de l’attaque « Rowhammer » visant la mémoire vive des serveurs pour attaquer des machines virtuelles et subtiliser leurs clés de chiffrement. La sécurité du Cloud et des systèmes virtualisés en prend un coup.

Attaque contre la DRAM : de la théorie à la pratique

Des chercheurs des laboratoires de Google ont développé une attaque contre les modules de mémoire vive, DDR. Cette faille connue en théorie permet d’inverser les bits et de prendre le contrôle d’un ordinateur.

IBM veut concurrencer la mémoire flash avec la PCM

IBM vient de présenter un prototype de dispositif de stockage embarquant de la mémoire à changement de phase (PCM pour Phase Changement Memory). Celui-ci surclasse le stockage flash à base de portes NAND de type SSD en termes de temps d’accès aux données.

DRAM « 3D » HMC : la mémoire de Micron prend l’express

Micron vient d’annoncer la livraison des premières puces de mémoire 3D Hybrid Memory Cube HMC. Destinée aux calculs haute performance et aux équipements réseaux, cette DRAM hybride de nouvelle génération offre une bande passante vertigineuse.

ULLtraDIMM : de la mémoire flash dans un module DDR3

Un nouveau type de stockage plaçant la mémoire flash dans un module DRAM a été mis au point pour répondre à des besoins professionnels spécifiques. Baptisé ULLtraDIMM, il se caractérise par un temps de latence ultra faible.

Samsung V-NAND : la mémoire flash passe à la 3D

Samsung annonce avoir débuté la production de masse de puces de mémoire flash en trois dimensions (3D) avec la 3D V-NAND, une révolution et un véritable virage pour le marché de la mémoire flash.