Intel lance le SSD grand public Optane 800P au format M.2. Une manière de démocratiser sa mémoire flash 3D XPoint développée avec Micron.
Actualités mémoire
Télégrammes : Emplettes pour Accenture, Nouvelle usine mémoire pour Toshiba, Chatbots chinois désactivés
Avant de savoir si Neymar jouera ce week-end contre Amiens, il est temps de lire les télégrammes du soir.
HP adopte la mémoire cache Optane d’Intel dans son Pavilion AIO 27
Le Pavilion All-in-One 27 de HP est le premier de son genre à adopter l'Optane, une mémoire cache qui se situe entre la RAM et le SSD et vise à accélérer l'accès aux données.
Stack Clash s’octroie des privilèges sur les systèmes Linux
Des chercheurs ont découvert une faille dans les systèmes Linux ouvrant la voie à une élévation de privilèges.
Télégrammes : Apple et Amazon partants sur les mémoires de Toshiba, Tintri tenté par l’IPO, WiFi même sur l’Everest
Le lundi de Pentecôte scinde la France en deux, mais tout le monde peut lire les télégrammes du soir.
La mémoire imprimable pointe le bout de son nez
Des scientifiques ont élaboré une technique pour imprimer une mémoire via une imprimante 3D et des encres à base de nanoparticules. Les débouchés sont nombreux, notamment dans l’IoT.
Les mémoires DDR5 et NVDIMM-P pour 2018, promet le JEDEC
La mémoire vive DDR5 et la mémoire non volatile NVDIMM-P seront standardisées en 2018 promet le JEDEC.
La ReRAM se prend pour un processeur
Une équipe de chercheurs a trouvé une méthode pour que la ReRAM effectue des tâches informatiques initialement dévolues aux processeurs.
Pirater un Mac en 30 secondes pour 300 dollars
Encore une méthode pour pirater un Mac en veille ou verrouillé. Un dispositif peut récupérer le mot de passe en quelques secondes.
Détecter et résoudre les problèmes de mémoire
Un seul bit vous manque et tout est dépeuplé. Les erreurs mémoire sont courantes et, la plupart du temps, sans conséquences majeures. Mais, dans le cas de traitements lourds et intensif, elles peuvent s'avérer dévastatrices.
Attaque Flip Feng Shui : Et les VM du Cloud deviennent poreuses
Des chercheurs ont peaufiné la technique de l’attaque « Rowhammer » visant la mémoire vive des serveurs pour attaquer des machines virtuelles et subtiliser leurs clés de chiffrement. La sécurité du Cloud et des systèmes virtualisés en ...
Avec la STT-MRAM, IBM et Samsung pulvérisent les performances du flash
Des chercheurs d'IBM ont mis au point une mémoire non volatile, très performante et peu consommatrice qui pourrait bien sonner l'arrêt de mort de la flash.
Un nouvel iPhone en renfort du marché de la mémoire ?
Le marché de la mémoire, RAM et flash, devrait reprendre des couleurs en seconde partie d’année, du fait d’une demande croissante de la part des terminaux mobiles.
Des memristors à l’assaut des réseaux de neurones
Les technologies mémoires memristors ont été utilisés par des scientifiques pour fabriquer une puce qui reprend les caractéristiques et les interactions des synapses et des neurones.
Attaque contre la DRAM : de la théorie à la pratique
Des chercheurs des laboratoires de Google ont développé une attaque contre les modules de mémoire vive, DDR. Cette faille connue en théorie permet d’inverser les bits et de prendre le contrôle d’un ordinateur.
Des chercheurs impriment une mémoire sur du papier à lettre
Une équipe de scientifiques taiwanais ont développé une méthode pour imprimer une mémoire sur une feuille ordinaire avec une imprimante jet d’encre.
Samsung renforce ses capacités de production sur la flash NAND 3D
Alors que SanDisk et Toshiba viennent d’annoncer la création d’une co-entreprise pour la production de mémoire flash NAND « 3D », c’est au tour de Samsung de faire monter en puissance sa production de masse de flash V-NAND en Chine.
IBM veut concurrencer la mémoire flash avec la PCM
IBM vient de présenter un prototype de dispositif de stockage embarquant de la mémoire à changement de phase (PCM pour Phase Changement Memory). Celui-ci surclasse le stockage flash à base de portes NAND de type SSD en termes de temps ...
MWC 2014 : SanDisk livre une carte microSD de 128 Go
En empilant les couches de mémoire au sein d’une carte microSD, SanDisk atteint une capacité record de 128 Go.
UFS 2.0 : Toshiba paré pour imposer la mémoire ultra rapide dans les mobiles
Profitant du CES 2014, Toshiba a dévoilé ses intentions pour la nouvelle génération de mémoire Flash interne, répondant à la norme UFS 2.0 (Universal Flash Storage 2.0). A la clef des débits de 1,2 Go/s.
CES 2014 : Lexar annonce ses cartes mémoires CFast 2.0, les plus rapides au monde
Lexar a profité du CES 2014 pour annoncer ses cartes mémoires CFast 2.0 doublées du lecteur CR1. Il s'agit tout simplement des cartes les plus rapides au monde. Elles se destinent avant tout aux professionnels de l'image.
Alliance sur le front de la MRAM afin de supplanter la DRAM
Dire que les jours de la DRAM sont comptés est peut être un brin exagéré. Mais toujours est-il qu'une alliance américano-japonaise vient de se former pour la supplanter par la MRAM.
Quiz Silicon.fr – 10 questions sur la mémoire flash
Les puces flash NAND ont changé notre façon de penser le stockage et servi de moteur à la révolution mobile. Que savez-vous de cette technologie ?
DRAM « 3D » HMC : la mémoire de Micron prend l’express
Micron vient d'annoncer la livraison des premières puces de mémoire 3D Hybrid Memory Cube HMC. Destinée aux calculs haute performance et aux équipements réseaux, cette DRAM hybride de nouvelle génération offre une bande passante vertig ...
SanDisk optimise sa Flash pour les tablettes Atom Bay Trail
SanDisk vient de lever le voile sur une nouvelle version de sa mémoire flash iNAND Extreme optimisée pour les SoC Atom Bay Trail Z3000 d'Intel, conçus pour des tablettes.
Cisco s’offre Whiptail, mémoire flash pour UCS. Quid d’EMC et NetApp ?
La consolidation dans le stockage flash tourne à pleine vitesse. C'est au tour de Cisco de s'offrir une plateforme flash pour UCS. Mais alors que vont devenir les solutions unifiés construites avec EMC et NetApp ?
Mémoire DDR4 : Samsung débute la production de masse
Samsung annonce avoir débuté la production de masse de mémoire DDR4 à destination des serveurs d'entreprise.
La mémoire Crossbar : un concurrent redoutable pour la flash
Une startup est peut-être sur le point de révolutionner le marché de la mémoire non volatile grâce à sa technologie. Baptisée "mémoire Crossbar", elle pourrait en effet supplanter la mémoire flash dans les années à venir.
ULLtraDIMM : de la mémoire flash dans un module DDR3
Un nouveau type de stockage plaçant la mémoire flash dans un module DRAM a été mis au point pour répondre à des besoins professionnels spécifiques. Baptisé ULLtraDIMM, il se caractérise par un temps de latence ultra faible.
Samsung V-NAND : la mémoire flash passe à la 3D
Samsung annonce avoir débuté la production de masse de puces de mémoire flash en trois dimensions (3D) avec la 3D V-NAND, une révolution et un véritable virage pour le marché de la mémoire flash.
