Toshiba et Infineon présentent FeRAM

Toshiba et Infineon ont présenté FeRAM, un nouveau composant-mémoire de 32 mégabits destiné dans un futur proche à prendre la place des mémoires Flash.

FeRAM utilise des cristaux ferroélectriques non volatiles qui lui confèrent la capacité d’enregistrer sans nécessiter l’apport d’une source externe d’énergie, par opposition à Flash. Plus rapide Mais c’est surtout du côté de sa vitesse qu’il faut rechercher un avantage certain à FeRAM. Car si elle reste inférieure à la SDRAM, son temps d’accès de 50 nanosecondes et un cycle de traitement à 75 nanosecondes font de ce nouveau composant le futur composant à basse consommation pour les asssistants personnels ou PDA, ou les appareils photo numériques et les téléphones mobiles.