Pour gérer vos consentements :

10 nm et charge rapide : Qualcomm renouvelle ses gammes

Qualcomm annonce aujourd’hui que Samsung Electronics sera à la manœuvre pour produire sa prochaine puce mobile de haut de gamme, le Snapdragon 835. Ce processeur sera gravé en 10 nm FinFET.

Comparée au 14 nm FinFET, la technologie 10 nm FinFET permet de créer des composants 27 % plus performants à consommation identique, ou 40 % plus économes en énergie à puissance égale. Les puces 10 nm sont également 30 % plus compactes, ce qui permettra de libérer de la place pour d’autres composants, voire pour des batteries plus imposantes.

« L’utilisation du processus de gravure en 10 nm devrait permettre à notre processeur Snapdragon 835 d’offrir une plus grande efficacité énergétique et d’augmenter les performances tout en nous permettant d’ajouter un certain nombre de nouvelles fonctionnalités qui amélioreront l’expérience utilisateur des appareils mobiles de demain », assure Keith Kressin, vice-président senior, gestion des produits, Qualcomm Technologies Inc.

Et c’est bien tout ce que nous saurons du nouveau haut de gamme de Qualcomm, dont la firme ne donne aucun autre détail. Si ce n’est sa date de mise en production, imminente. De premiers smartphones équipés du Snapdragon 835 devraient être présentés dès le premier semestre 2017. Peut-être dans le cadre du CES 2017 de Las Vegas, qui se tiendra en janvier prochain. Ou plus probablement lors du Mobile World Congress 2017 de Barcelone, qui se déroulera fin février.

Une charge toujours plus rapide

L’une des premières nouveautés du Snapdragon 835 est le support de Quick Charge 4. Cette technologie de charge rapide permet de disposer de plus de 5 heures d’autonomie en seulement 5 minutes de charge. Quick Charge 4 se veut 20 % plus rapide et 30 % plus efficace que son prédécesseur.

« À mesure que les appareils mobiles deviennent plus riches en fonctionnalités, les gens ont tendance à les utiliser plus. C’est pourquoi la demande des consommateurs pour des solutions de recharge rapide est maintenant à un niveau record », constate Alex Katouzian, vice-président senior, gestion des produits, Qualcomm Technologies Inc. « Quick Charge 4 adresse ce besoin en fournissant jusqu’à 50 % de charge de la batterie en environ 15 minutes ou moins, de sorte que vous n’avez plus à passer toute la journée enchaîné à votre câble de recharge. »

La firme en profite pour ajouter quelques fonctionnalités à son offre. Comme le support des connecteurs USB Type-C et USB-PD. Mais aussi une nouvelle version de son algorithme de gestion de charge, qui prend pour la première fois en compte les paramètres thermiques. La vitesse de charge pourra ainsi être adaptée en temps réel à la température du terminal. Cela permettra d’éviter des problèmes de surchauffe, comme ceux ayant touché le Galaxy Note 7 de Samsung.

À lire aussi :
Netgate associe pfSense et ARM au sein d’un firewall low cost open
Qualcomm rassure les marchés. Grâce au Snapdragon 820 ?
Qualcomm s’apprête à avaler NXP Semiconductors

Crédit photo : © Christophe Lagane – Silicon.fr

Recent Posts

Conformité RGPD : l’autoévaluation BCR en 50 questions

La CNIL a produit un outil d'évaluation de maturité pour les projets de BCR. On…

2 heures ago

Comment Accor a basculé son système de réservation sur AWS

La plateforme de réservation du groupe Accor, TARS, est exploitée sur AWS.depuis fin 2023. Une…

4 heures ago

VMware by Broadcom : les frais de fonctionnement réduits, les revenus aussi

Sous l'ère Broadcom, VMware coûte moins... et rapporte moins. Coup d'œil sur sa contribution actuelle…

5 heures ago

OW2con’24 : la protection du S.I à l’honneur

Pour son édition 2024, la OW2con a décerné ses trois Awards à des projets open…

6 heures ago

Atos : Alten reprend Worldgrid pour 270 millions €

Wordgrid et ses 1100 salariés va rejoindre Alten, spécialisé dans l'ingénierie et les services IT,…

6 heures ago

Cloud public : le PaaS croît, AWS décroît

IDC entérine la baisse de la part d'AWS sur le marché mondial du cloud public.

9 heures ago