HiSilicon prépare son premier processeur mobile 10 nm

HiSilicon, filiale de Huawei dédiée au monde des semi-conducteurs, travaille à la mise au point d’une puce mobile gravée en 10 nm. Cette dernière ne sera pas produite par Samsung, mais par le fondeur TSMC.

Gravé en 16 nm FinFET, le Kirin 960 actuel est un monstre de puissance, avec ses 4 cœurs ARM 64 bits Cortex A-73 à 2,4 GHz, secondés par quatre cœurs Cortex-A53 à 1,8 GHz. Son GPU Mali-G71 MP8 à 900 MHz est parmi ce qui se fait de mieux chez ARM. Le support de la DDR4 est un autre des avantages proposés par ce composant.

Déferlante de puces ARM gravées en 10 nm

Le Kirin 970 en 10 nm devrait adopter une configuration similaire, avec probablement une baisse sensible des besoins en énergie des cœurs ARM. Et peut-être une montée en fréquence. Entre 2,6 et 2,8 GHz ? Côté GPU, il faut s’attendre à un Mali-G71 comprenant plus d’unités de rendu. Et pour le support 4G, le modem supportera le LTE à 600 Mbit/s.

Les concepteurs de puces mobiles s’attaquent maintenant massivement au 10 nm. Nous pouvons ainsi citer, en plus du Kirin 970, les Helio X30 et X35 de MediaTek, le Snapdragon 835 de Qualcomm ou encore l’Exynos 8895 de Samsung. Des composants pouvant atteindre les 3 GHz.

Ce n’est donc pas Intel qui proposera le premier des puces en 10 nm. Le fondeur américain est en effet en très léger retard sur Samsung et TSMC.