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Intel et Micron se lancent dans la mémoire flash gravée en 20 nm

Intel et Micron viennent d’annoncer le lancement d’un nouveau procédé de gravure en 20 nm, qui sera appliqué à la mémoire flash NAND MLC (Multi-level cell). Il a d’ores et déjà permis de créer une cellule mémoire de 8 Go, d’une surface de seulement 118 mm².

L’espace occupé est ainsi réduit de 30 % à 40 % par rapport aux modules 25 nm actuels. Cette évolution permettra de créer des composants flash de 128 Go… plus petits qu’un timbre-poste. Une avancée notable pour les terminaux mobiles, qui font une chasse permanente à l’espace occupé par les composants.

La gravure en 20 nm devrait également permettre de réduire la consommation électrique des modules flash, et – à terme – leur coût, un plus grand nombre de puces pouvant être gravées à la fois. La mise en production des unités flash 20 nm de 8 Go devrait démarrer au cours du second semestre 2011. Une cellule de 16 Go sera proposée ultérieurement.

Tom Rampone, vice-président d’Intel chargé du non-volatile memory solutions group, précise que « la joint-venture Intel-Micron (IMFT) est un modèle pour le secteur industriel, car elle conforte notre leadership en termes de gravure et nous autorise à opérer de rapides transitions de tout notre réseau de production, vers des lithographies plus fines. »

Petite précision pour celles et ceux qui s’interrogent sur la possible adoption de cette finesse de gravure dans le monde des processeurs : le 20 nm reste encore en cours de mise au point. Aussi, il n’est utilisable que dans le cadre de composants très simples, comme de la mémoire (volatile ou non). La limite est donc pour le moment technique et non stratégique.

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