Les nouvelles techniques de fabrication mises au point par IBM devraient simplifier la fabrication de composants qui seraient plus rapides, et moins consommateurs d’énergie.
Tout d’abord, le constructeur associe deux couches de silicium sous la technologie CMOS (Complementary metal oxide semiconductor). Ensuite, il presse le silicium directement sur l’isolant (SDOI) associé à du silicium sur germanium (SiGe)… Vous suivez? La méthode permet de mieux maîtriser la production. Et, autre avantage, les structures SSDOI ultrafines amélioreraient les performances de 20 à 30%. Enfin, la combinaison de deux substrats sur le même ‘wafer’ (ou circuit support) pourrait accroître les performances CMOS de 40 à 65%! Et avec des économie d’énergie en sus!
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