La téléphonie compatible 3G attire l’attention des géants de l’industrie, avec un marché encore embryonnaire, mais qui pourrait rapidement s’étendre et représenter 790 millions de téléphones vendus jusqu’en 2008.
En revanche, si la 3G fait rêver, la technologie demande plus de puissance pour répondre aux attentes de ses futurs clients, en particulier sur le multimédia. C’est pourquoi la division semiconducteurs du sud-coréen Samsung vient d’annoncer un module mémoire DRAM Mobile de 512 Mbit (64 Mo) avec une bande passante de 333 Mbps (41 Mo/sec). Gravés en 90 nanomètres, ces composants en faible tension (1,8v) seront proposés aux formats SDRAM et DDR, et pourront être empilés par deux afin d’atteindre le 1 Gbit (128 Mo). Avec cette puissance, les opérateurs pourront envisager de diffuser des services de haute qualité graphique, comme la vidéo ou des applications en 3D. Et Samsung pourra concurrencer Texas Instruments, le premier fabricant mondial sur ce marché.
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