Western Digital et Toshiba se sont associés pour mettre au point des composants Flash NAND BiCS3 d’une capacité inédite de 256 gigabits (32 Go). À cet effet, une nouvelle technique de fabrication 3D à 64 couches est utilisée, contre 48 couches précédemment.
Cette montée en gamme permet d’offrir des composants d’une capacité 40 % supérieure, assure Toshiba, avec en ligne de mire des puces de 512 gigabits (64 Go).
Des échantillons de composants BiCS3 seront livrés aux constructeurs dès ce trimestre. Pour la production de masse il faudra toutefois attendre le quatrième trimestre 2016. Les livraisons « dans des quantités significatives » sont programmées pour le premier semestre 2017.
Ces composants plus denses permettront d’améliorer la capacité des modules eMMC des smartphones et tablettes, et des cartes mémoire. Voire des unités de stockage Flash compactes, comme les SSD M.2. Leur impact sur le marché devrait être moins marqué dans le secteur des SSD 2,5 pouces, présentant un volume plus important.
Pensés pour être avant tout économiques, ces composants utilisent le mode TLC, soit 3 bits par cellule. Contre 2 bits par cellule pour les offres MLC, plus endurantes. Ceci les disqualifie en partie dans les datacenters, où il faudra éviter de les utiliser dans des scénarios d’écritures intensives, pour les réserver au stockage de données tièdes.
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