AMD adopte le ‘strained silicon’ en 90 nano

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Strained silicon‘, c’est la technologie d’optimisation des distances entre les atomes de silicium qui permet de minimiser les interférences. Des gains de rapidité d’environ 20% sur les processeurs sont annoncés par les fondeurs qui ainsi augmentent les fréquences et réduisent la consommation d’énergie. Le strained silicon a déjà été adopté par Intel sur le processeur Pentium 4 E, le Prescott 90 nanomètres (0,09 micron), ainsi que par IBM sur le PowerPC. AMD va donc produire des processeurs sous technologie stained silicon gravés à 90 nano, mais aussi des processeurs 130 nano attendus avant la fin du trimestre.