e2v et Tower Semiconductor renforcent leur collaboration

e2v, spécialiste de la conception et de la fabrication de composants et de sous-systèmes électroniques de haute technologie, et Tower Semiconductor Ltd., un fondeur de silicium spécialisé et indépendant, annoncent aujourd’hui qu’e2v a choisi Tower Semiconductor comme fournisseur de référence pour ses capteurs d’image CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor).

L’expérience d’e2v en matière de conception, combinée aux capacités de production haute performance de Tower Semiconductor en matière de semiconducteurs en technologie CMOS sera à l’origine d’une toute nouvelle génération de capteurs dits « System on a Chip’(SoC) qui bénéficieront d’une image de haute qualité et de fonctionnalités embarquées.

Les produits capteurs d’image CMOS (CIS) d’e2v ciblent un large éventail d’applications industrielles et médicales.

Ils seront fabriqués dans l’usine à l’état de l’art Fab2, avec la technologie CIS 0,18 micron. e2v et Tower se concentrent sur dix projets de développement majeurs.

« Avec les procédés de fabrication en capteurs d’image CMOS à la pointe de la technologie de Tower à large champ ou « stitching » et leur désir clairement exprimé de travailler avec nous pour développer notre activité, il nous est apparu évident qu’il fallait sélectionner Tower comme partenaire » a déclaré Jean-Philippe Lamarcq, Directeur général de l’activité imagerie d’e2v à Grenoble.

« Nous sommes heureux de faire profiter e2v de nos innovations de pointe en matière de procédés et de conception, en capteurs d’image CMOS « commente Avi Strum, Directeur général de la ligne de produits capteurs d’image CMOS chez Tower Semiconducteur. Il a ajouté « Le choix d’e2v est le résultat d’un programme de développement conjoint de deux ans entre Tower et le site de Grenoble. »