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Semi-conducteurs : Intel vise le 10 nm… Et après ?

Le géant des semi-conducteurs Intel profite de l’International Solid-State Circuits Conference 2015 de San Francisco (ISSCC) pour dévoiler ses plans. La firme travaille d’ores et déjà sur la gravure en 10 nm, avec de premiers composants attendus fin 2016, début 2017.

Il faudra bien entendu que la société investisse des milliards de dollars dans de nouvelles unités de production. Intel annonce également qu’il lui faudra faire une croix sur le silicium pour descendre à 7 nm. Les spécialistes avancent l’utilisation d’autres matériaux bien plus onéreux, comme un composé d’indium et d’arséniure de gallium (InGaAs).

Une pause relativement importante devrait donc être constatée au palier des 10 nm. Et l’atteindre n’ira pas sans peine. Les défauts et problèmes à de telles finesses de gravure risquent en effet d’être nombreux. La firme reconnaît avoir rencontré divers soucis lors de la conception de ses processeurs Broadwell gravés en 14 nm.

Garder un coup d’avance… à tout prix

Le 10 nm reste toutefois stratégique pour la firme. Rappelons en effet que la concurrence talonne Intel, qui – pour la première fois de son histoire – n’a plus un coup d’avance sur les autres fondeurs. Si les puces classiques ou pour serveurs sont encore massivement gravées en 28 nm chez les acteurs comme AMD ou les concepteurs de composants ARM, il n’en va pas de même dans le secteur de la mobilité.

Samsung propose ainsi d’ores et déjà du 20 nm dans ses Exynos. Un composant gravé en 14 nm est même attendu pour le Galaxy S6, prochain vaisseau amiral de la firme coréenne. TSMC devrait pour sa part monter en puissance cette année sur le 16 nm, avant de proposer le 10 nm en 2016. Un accord avec ARM a d’ailleurs été signé autour du 10 nm FinFet.