Il aura fallu au département d’ingénierie électrique et informatique de l’université de l’Illinois d’abandonner le silicium germanium pour dépasser de 57 GHz le précédent record établi par le département, et atteindre la fréquence phénoménale de 509 GHz.
Les transistors détenteurs du nouveau record sont en ‘indium phosfide‘ et ‘indium gallium arsenide‘, des matériaux « indéniablement plus rapides que le silicium germanium et qui peuvent supporter des densités de courant nettement plus fortes« .
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