Et PST Sensors créa le transistor à commutation de courant

Composants

PST Sensors annonce le lancement commercial d’un nouveau type de transistor présenté lors de la conférence Printed Electronics Europe 2013 comme “la plus grande avancée concernant la fonctionnalité du transistor depuis 65 ans.”

L’effet transistor a été découvert en 1947, mais depuis lors les recherches pour l’améliorer n’ont cessé. PST Sensors va plus loin en annonçant un tout nouveau type de transistor. Il a été dévoilé lors du Printed Electronics Europe Conference and Exhibition qui s’est tenu à Berlin les 17 et 18 avril 2013 sous l’égide de l’IDTechEX.

Procédé de fabrication transposable

La version produite par PST Sensors résulte de l’utilisation de silicium imprimé. Mais, la société sud-africaine souligne qu’il peut également être obtenu par la filière classique de fabrication des transistors, ou être imprimé avec d’autres semiconducteurs que le silicium, ou encore en utilisant des nanoparticules et des nanotubes.

Raghu Das, directeur général de la société IDTechEX de recherche et d’organisation d’évènements autour de l’électronique imprimée, ne tarit pas d’éloges à l’égard de ce transistor : « La fabrication d’un nouveau composant entièrement électronique est un développement remarquable dans l’évolution des composants à semiconducteurs, en particulier celle qui peut être produite par impression en utilisant seulement deux encres – le silicium et un conducteur. »

Un transistor à commutation de courant

À l’instar de tous les transistors, il présente trois bornes (analogue aux source, grille et drain pour les MOS et aux émetteur, base et collecteur pour les transistors bipolaires).

Mais la comparaison s’arrête là puisque ce nouveau transistor peut conduire le courant entre la base et le collecteur ou entre l’émetteur et la base suivant le signal électrique appliqué sur la base, agissant ainsi comme un commutateur de courant. De surcroît, il repose sur un mécanisme de fonctionnement différent de celui des transistors “classiques” (bipolaires et MOS).

Par ailleurs, derrière le produit qui étoffe le portefeuille de PST Sensors, ce transistor constitue une percée importante dans la science fondamentale. Il découle d’un développement de longue haleine au cœur du NanoSciences Innovation Centre de l’université de Cape Town.

Raghu Das d’ajouter que “ce nouveau type de commutation ouvre de nombreuses possibilités pour les développements dans la logique à transistors, la gestion de l’alimentation et de la technologie d’affichage imprimé“. Dans le domaine de la logique à transistors, un seul de ces transistors pourrait ainsi constituer une porte logique à lui seul.


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