Dépassée la loi de Moore ? Pas pour Intel, qui modifie le mode de calcul de la densité des transistors pour sauvegarder la prédiction de son co-fondateur. Une façon aussi de masquer sa transition chaotique vers la génération 14 nm.
Actualités 10 nm
La sortie du Galaxy S8 repoussée ?
Nouveau retard pour le Galaxy S8 de Samsung. Des problèmes de production des processeurs en 10 nm toucheraient la firme coréenne.
Les premiers processeurs Intel en 10 nanomètres attendus en 2017
Intel devrait commercialiser ses premiers processeurs en technologie 10 nm dans le courant de l'année dans la foulée de Samsung et TSMC.
10 nm et charge rapide : Qualcomm renouvelle ses gammes
La prochaine puce mobile de Qualcomm, le Snapdragon 835, sera gravée en 10 nm FinFET et proposera une technologie de charge rapide 20 % plus véloce que précédemment. Arrivée prévue au premier semestre 2017.
Samsung devance Intel dans la production de puces gravées en 10 nm
Le 10 nm FinFET est entré en production chez Samsung Electronics. Premiers SoC, les Exynos 8895 et Snapdragon 830. L'arrivée des premiers terminaux équipés de ces composants est attendue début 2017.
Intel gravera des composants ARM en 10 nm
Un accord a été signé entre ARM et Intel. Il permettra aux concepteurs de puces ARM de les faire produire par Intel, en 10 nm FinFET.
ARM et TSMC testent avec succès des puces 64 bits gravées en 10 nm
Les composants ARM gravés en 10 nm deviennent une réalité, avec ce premier test grandeur nature mené à bien par ARM et TSMC.
Samsung délivre ses composants DDR4 3200 MHz gravés en 10 nm
33 % plus rapide, 15 % moins gourmande en énergie, la nouvelle DRAM 10 nm de Samsung promet des merveilles… et des barrettes de DDR4 PC25600 à 3200 MHz.
Processeurs : TSMC démarre ses tests sur le 10 nm
Le 10 nm débarquera cet été chez TSMC. Il faudra toutefois attendre mi-2016 pour que la production de masse démarre.
Semi-conducteurs : Intel vise le 10 nm… Et après ?
L’étau se resserre autour d’Intel, qui doit forcer le pas pour accéder au 10 nm, et conserver ainsi une maigre avance sur ses concurrents.
UMC rejoint l’alliance d’IBM pour le 10 nm FinFET
Le fondeur taïwanais UMC vient d'annoncer une collaboration avec IBM portant sur le développement de la technologie CMOS avancée 10 nm à transistors FinFET.
Flash MLC 128 Gb : Samsung veut accélérer l’adoption des SSD
Samsung vient de débuter la production de masse de flash NAND MLC 3 bits de 128 Gbit dans sa technologie de classe 10 nm. La porte est ainsi ouverte à des dispositifs de stockage à flash NAND offrant une plus grande capacité.