Mémoire : Philips franchit les limites de la nanotechnologie
Les chercheurs de Philips sont sur le point de publier les détails d’une nouvelle technologie innovante pour les mémoires silicium sous le micron
L’innovation de ‘changement de phase’ sur les mémoires développée par Philips dans ses laboratoires de Eindhoven devrait permettre de fabriquer des composants mémoire plus petits, de faible voltage et moins consommateurs d’énergie.
Le ‘secret’ des cellules mémoire de Philips proviendrait des matériaux utilisés et de leur structure. Les matériaux utilisés actuellement présentent une forte résistance au changement de phase qui demande l’application d’un relativement fort voltage. Selon Philips, le voltage des processus technologiques avancés dans la production de composants silicium CMOS n’est pas adapté. Pour surmonter ce problème, Philips aurait développé un enduit de changement de phase en Antimony/Tellurium, qui permet d’abaisser le seuil de la commutation entre les phases amorphe et cristalline avec un champ de force de basse tension électrique de l’ordre de 14V/µm. Cette technologie de cellule mémoire à l’état solide serait proche de celle du film ultrafin déposé sur les DVD réinscriptibles. « Le ‘Graal’ de l’industrie des mémoires embarquées est d’unifier une mémoire qui remplace les autres en combinant la vitesse des SDRAM, la densité des DRAM et l’absence de volatilité du Flash« , a déclaré le Dc Karen Attenborough, chef de projet du ‘Scalable Unified Memory’ au Philips Research. « La nouvelle technologie de cellules à changement de phase de Philips a franchi un pas significatif vers cet objectif« .
