Toshiba se lance dans les ‘puces’ de 32 nanos/m

Régulations

FinFET est le premier transistor en 32 nanomètres fabriqué par Toshiba

L’industrie des semi-conducteurs migre sa production vers les technologies en 90 nanomètres (nm): elle s’apprête à se lancer sur les 65 nm, et concentre sa R&D sur le 45nm. Mais le

Nikkei Business Daily vient de révèler le contenu d’une communication que Toshiba s’apprête à faire à la conférence International Electron Devices aux Etats-Unis. Toshiba aurait en effet pour la première fabriqué un transistor en 32 nanomètres, appelé FinFET: la longueur de son “pont” (lien entre le transistor et la plaque de silicium) ne serait que de 20 nanomètres (soit 20 millionièmes de mètre).


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