IBM met au point une mémoire 100 fois plus rapide que la Flash

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Une mémoire non volatile ultra rapide et économique qui permettrait notamment le démarrage instantané d’un système. C’est la promesse que nous fait IBM. Mais pas avant 2016.

Les chercheurs du laboratoire d’IBM à Zurich ont mis au point une nouvelle technologie mémoire, dite à changement de phase (phase-change memory ou PCM) qui peut stocker plusieurs bits de données par cellule. La démonstration a été faite à partir d’un substrat CMOS gravé en 90 nanomètres et comprenant 200.000 cellules et testé depuis 5 mois. Une période suffisamment longue pour laisser IBM penser que la phase de mise en application de ses avancées technologiques est désormais possible.

La mémoire multi-bit PCM est la promesse de solutions futures plus économiques et plus efficaces tant pour les terminaux mobiles (smartphones et tablettes) que dans l’univers du stockage professionnel (data center, cloud…) Une évolution promise pour 2016 ans annonce IBM. Il est vrai que, sur le papier, cette nouvelle génération de mémoire Flash apporte son lot de promesses.

La technologie mise au point par IBM permet d’écrire les données à 10 microsecondes. Soit jusqu’à 100 fois plus vite qu’avec la technologie Flash déjà elle-même sans comparaison avec les disques durs électromagnétiques. Et des promesses de 10 millions de cycles d’écriture garantis sont avancées. A comparer aux 30.000 cycles actuellement supportés par les produits de classe professionnelle, selon IBM.

Jusqu’à présent, les capacités de résistance électrique de la mémoire Flash avait tendance à s’estomper dans le temps finissant par créer des erreurs de lecture des données. Les chercheurs d’IBM sont parvenus à contourner ces problèmes par des techniques avancées de modulation de la résistance. En contrôlant la modulation de la résistance électrique, les ingénieurs seraient ainsi capables de stocker autant de bits qu’ils peuvent créer de variation de résistance électrique. Pour la démonstration, IBM est parvenu à stocker jusqu’à 4 bits en l’occurrence (les combinaisons 00, 01, 10 et 11).

Outre l’optimisation des coûts de production attendue (plus de capacité mémoire pour la même surface de support), l’amélioration apportée au principe de la mémoire non volatile avec des performances bien supérieures à la Flash permettrait notamment de mettre en oeuvre le démarrage instantané d’un ordinateur et de booster instantanément les capacités du système (souvent ralenti par les accès au disque dur). La mémoire Flash, sur unité de stockage ou comme complément d’un disque dur classique, est d’ailleurs aujourd’hui utilisée pour améliorer les performances d’un OS, voire d’une machine vieillissante entière. Il reste à noter que IBM n’est pas le seul à travailler sur le multi-bit par cellule. Sandisk, notamment, commercialise déjà du 4 bits par cellules Flash.


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