SanDisk optimise sa Flash pour les tablettes Atom Bay Trail

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SanDisk vient de lever le voile sur une nouvelle version de sa mémoire flash iNAND Extreme optimisée pour les SoC Atom Bay Trail Z3000 d’Intel, conçus pour des tablettes.

Leader mondial des solutions de stockage à mémoire flash, SanDisk a optimisé son module flash embarqué iNAND Extreme pour qu’il fonctionne dans des tablettes intégrant les tout nouveaux SoC Z3000 de la plate-forme Intel Atom Bay Trail.

eMMC optimisée pour l’Atom Bay Trail

Il s’agit d’un module EFD (Embedded Flash Drive) qui consiste en trois puces (l’interface MMC (MultiMedia Card), la mémoire flash à portes NAND et le circuit intégré de contrôleur de mémoire flash, des puces intégrées dans un boîtier de type BGA (ball-grid array).

Les améliorations apportées à l’iNAND Extreme sont de nature à accroître sa vitesse et sa réactivité. Cela se traduira par une expérience utilisateur “exceptionnelle” selon SanDisk, allant du streaming de vidéos HD en toute fluidité, au lancement éclair d’applications en passant par une synchronisation rapide dans le cloud.

«Nous sommes ravis d’offrir les performances de stockage énormes de l’iNAND Extreme de SanDisk pour une utilisation dans des tablettes incorporant la nouvelle plate-forme impressionnante Intel Atom“, a déclaré Drew Henry, vice-président senior et directeur général des solutions mobiles et connectées au sein de SanDisk.

150 Mo/s en lecture

Disponible jusqu’à des capacités de 128 Go, l’iNAND Extreme se caractérise par des vitesses d’écriture et de lecture de respectivement 45 Mo/s et 150 Mo/s et des vitesses aléatoires d’écriture et de lecture de 800/4K IOPS (inputs/outputs per second).

Elle reste toutefois moins véloce que l’eMMC Pro 5.0 de Samsung dont les vitesses d’écriture et de lecture séquentielles culminent respectivement à 90 Mo/s et 250 Mo/s.

Des synergies avec Intel et Toshiba

Les premières puces iNAND Extreme de SanDisk sont en cours d’échantillonnage à destination des principaux constructeurs de tablettes Android et Windows 8 intégrant des SoC Z3000 gravés en 22 nm.

SanDisk mise donc sur la plate-forme Atom Bay Trail en optimisant l’iNAND Extreme avec en filigrane une collaboration avec Intel. Les deux sociétés s’étaient déjà associées afin de proposer la norme SATA DevSleep (mode à très basse consommation pour les SSD)

Et de partenariat, il est également question en matière de production, puisque la mémoire flash de l’iNAND Extreme est gravée dans la technologie 19 nm de Toshiba. Précisément, elle est produite au Japon par Flash Forward, co-entreprise associant SanDisk et Toshiba.

Crédit photo @SanDisk


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